[实用新型]整流单元以及整流电路

说明书

本实用新型提供整流单元以及整流电路，涉及电源技术领域，包括：模拟开关器件SR1、延时电路以及控制器；所述模拟开关器件SR1的漏极与所述模拟开关器件SR1的源极之间包括所述延时电路以及所述控制器；所述延时电路用于使得所述控制器的检测端电压延后达到第一芯片阈值；所述控制器，用于根据所述控制器的检测端电压向所述模拟开关器件SR1输出驱动信号，这样，在延时电路的作用下，使得芯片能够平稳驱动模拟开关器件SR1接近于二极管，从而在增强该整理单元的可靠性的情况下提高了该整流单元的效率。

技术领域

本实用新型涉及电源技术领域，尤其涉及整流单元以及整流电路。

背景技术

随着科学技术的进步，各个行业设备集成化越来越高，电源模块的功率随之增加。整流电路是一种将交流电转换为直流电的电路，广泛的应用在电源模块中。

现有技术中，整流电路一般由二极管组成。由二极管构成的整流电路压降较大，在大电流下导通损耗很大，已经不能满足模块高效率的要求。从而诞生了同步整流，同步整流是采用通态电阻极低的金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，MOSFET)来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。自驱动同步整流技术中驱动芯片根据同步整流MOSFET(又称SR MOS)寄生体二极管的导通状态，发出SR MOS驱动，依靠检测SR MOS源漏极电压(Vds)，以及判断条件自主发出同步整流驱动波形，使得SRMOS接近于二极管正向导通，反向截止的特性。

然而，自驱动同步整流技术中驱动芯片应用于低频输入同步整流可能出现压降较大或者诸如雷击浪涌等造成的负向电流不能及时关断SR MOS等异常。

实用新型内容

本实用新型提供一种整流单元以及整流电路，在增强该整理单元的可靠性的前提下，有助于提高整流单元的效率。

第一方面，本实用新型提供一种整流单元，包括：模拟开关器件SR1、延时电路以及控制器；模拟开关器件SR1的漏极与模拟开关器件SR1的源极之间包括延时电路以及控制器；延时电路用于使得控制器的检测端电压延后达到第一芯片阈值；控制器，用于根据控制器的检测端电压向模拟开关器件SR1输出驱动信号。

这样，在延时电路的作用下，使得芯片能够平稳驱动模拟开关器件SR1接近于二极管，从而在增强该整理单元的可靠性的情况下提高了该整流单元的效率。

可选的，模拟开关器件SR1为同步整流金氧半场效晶体管。

可选的，整流单元还包括耐高压MOSFET Q1；所述模拟开关器件SR1的漏极连接所述耐高压MOSFET Q1，所述延时电路包括第二电阻R2、第二滤波电容C2和开关控制器件Q2。这样就可以使用耐高压MOSFET Q1的导通内阻来替代另一种方案中的第一电阻R1。

可选的，所述延时电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第二滤波电容C2和开关控制器件Q2。

可选的，在所述驱动信号用于表征高电平的情况下所述开关控制器件Q2关断；在所述驱动信号用于表征低电平的情况下所述开关控制器件Q2导通。

可选的，所述开关控制器件Q2为P沟道MOSFET。

可选的，在所述整流单元中的交流电流的负半周过零后，所述控制器的检测端电压Vd满足：其中，VD为模拟开关器件SR1的漏极电压，R1为第一电阻R1的电阻值，或者，R1为耐高压MOSFET Q1的导通内阻，或者，R1为第一电阻R1的电阻值与耐高压MOSFET Q1的导通内阻之和；R2为第二电阻R2的电阻值，Vc2为第二滤波电容C2的电压。

可选的，在所述控制器的检测端电压Vd达到芯片阈值电压的情况下，所述驱动信号用于驱动高电平；所述模拟开关器件SR1基于所述驱动信号饱和导通，所述开关控制器件Q2基于所述驱动信号关断。