[实用新型]排液管道和制绒系统、碱抛系统有效
申请号: | 202321066826.9 | 申请日: | 2023-05-06 |
公开(公告)号: | CN219553588U | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 袁东超;徐志雄;赵林云 | 申请(专利权)人: | 晶科能源(上饶)有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;F16L43/00;F16L47/00;C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 341000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 管道 系统 | ||
本实用新型公开了排液管道和制绒系统、碱抛系统,该排液管道包括管道主体,管道主体包括第一管体和第二管体,第一管体与第二管体之间通过防气体倒灌装置相连通;防气体倒灌装置包括第三管体,第三管体包括依次连通的子管体,相邻两个子管体之间通过第一连接件相连接,相邻多个子管体之间在第一方向上构成弯形管道,第一方向为由第一管体指向第二管体的方向;靠近第一管体一侧的子管体通过第二连接件与第一管体相连通,靠近第二管体一侧的子管体通过第三连接件相连通。本实用新型能够防止酸排气体倒灌,从而保证槽体洁净度,有利于提升太阳能电池效率/双面率。
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,更具体地,涉及一种排液管道和制绒系统、碱抛系统。
背景技术
在太阳能电池领域,晶硅太阳能电池的发展相对比较成熟,实用性比较强,而且随着晶硅太阳能电池技术的不断发展,其光电转换效率在不断的提高,制备成本在不断地降低。晶硅太阳能电池的制备过程主要包括:制绒、扩散、碱抛、刻蚀、镀膜、印刷和烧结等,在生产过程中,由于制绒和碱抛工序中臭氧槽、酸洗槽和慢提拉槽一起排液,在排液期间排液量较大存在倒灌风险,从而降低槽体的洁净度,进而降低太阳能电池片效率。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种排液管道和制绒系统、碱抛系统,能够防止酸排气体倒灌,从而保证槽体洁净度,有利于提升太阳能电池效率/双面率。
第一方面,本申请提供一种排液管道,包括管道主体,管道主体包括第一管体和第二管体,第一管体与第二管体之间通过防气体倒灌装置相连通;
防气体倒灌装置包括第三管体,第三管体包括依次连通的子管体,相邻两个子管体之间通过第一连接件相连接,相邻多个子管体之间在第一方向上构成弯形管道,第一方向为由第一管体指向第二管体的方向;
靠近第一管体一侧的子管体通过第二连接件与第一管体相连通,靠近第二管体一侧的子管体通过第三连接件相连通。
可选地,子管体包括依次连通的第一子管体、第二子管体、第三子管体和第四子管体,第一连接件包括第一子连接件、第二子连接件、第三子连接件和第四子连接件,第一子管体、第二子管体、第三子管体和第四子管体上分别套设有第一子连接件、第二子连接件、第三子连接件和第四子连接件;
第一子管体通过第二连接件与第一管体相连通,第四子管体通过第三连接件与第二管体相连通。
可选地,第一子连接件、第二子连接件、第三子连接件和第四子连接件均为弯头,第二连接件和第三连接件均为由令活接。
可选地,弯头为45度弯头。
可选地,第一子管体靠近第一管体一侧与第一管体同轴,第一子管体远离第一管体一侧与第一管体不同轴;
第四子管体靠近第二管体一侧与第二管体同轴,第四子管体远离第二管体一侧与第二管体不同轴。
可选地,第三管体的管径为50~100mm。
可选地,第一管体、第二管体和第三管体的材质均为塑料材质。
第二方面,本申请提供一种制绒系统,包括槽体、排液装置和污水站,所述槽体包括臭氧槽、酸槽、水槽和慢提拉槽,所述排液装置包括第一排液管道,所述臭氧槽、所述酸槽、所述水槽和所述慢提拉槽上均安装有所述第一排液管道,第一排液管道为上述排液管道。
可选地,排液装置还包括第二排液管道和第三排液管道,污水站包括第一池体和第二池体;
第三排液管道包括第一子排液管道和第二子排液管道;
第一排液管道通过第二排液管道与第五排液管道相连通,第五排液管道连通于第一池体;
臭氧槽、酸槽和慢提拉槽通过第四排液管道与第一子排液管道相连通,第一子排液管道连通于第一池体;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源(上饶)有限公司;晶科能源股份有限公司,未经晶科能源(上饶)有限公司;晶科能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202321066826.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种循环式恒温水槽
- 下一篇:一种阀杆的表面热处理用淬火炉
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造