[发明专利]气载掺杂剂掺杂非晶硅方法无效
| 申请号： | 85100512.8 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1007563B | 公开（公告）日： | 1990-04-11 |
| 发明（设计）人： | 吴宗炎;沈月华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振苏 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 非晶硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种掺杂非晶硅方法，包括掺杂剂与硅烷混合，在反应室内高频率辉光放电或CVD溅射或蒸发等过程，其特征在于用周期表中Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ族元素的单质或化合物为掺杂剂，放在石英瓶中加热到汽化温度，用净化过气体为载体与SiH4反应而生成掺杂非晶硅。
2、按权利要求1所述的方法，其特征在于作为掺杂剂元素的单质或化合物是P.Sb.In.Ca.B.As.C等元素的单质或化合物。
3、按权利要求1所述的方法，其特征在于载体为净化过的氢气、氩气、氦气等。
4、按权利要求1或3所述的方法，其特征在于载体最好为净化过的氢气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
