[其他]磷酸氧钛钾单晶的熔盐生长方法和有关装置无效

专利信息
申请号: 85100836 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85100836B 公开(公告)日: 1988-07-20
发明(设计)人: 沈德忠;黄朝恩 申请(专利权)人: 国家建筑材料工业局人工晶体研究所
主分类号: C30B29/14 分类号: C30B29/14;C30B9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 磷酸 氧钛钾单晶 生长 方法 有关 装置
【权利要求书】:

1、一种KTP单晶的熔盐生长方法,以磷酸氧钛钾化合物为原料,多磷酸钾盐为熔剂,两者按1∶19~2∶3的比例混匀,装入敞口的铂金坩埚,在950°~1100℃下熔融并均化,然后以10°~30℃/小时的速度降至结晶温度,恒温5~50小时,使坩埚旋转并将冷却杆与坩埚底部中心接触,将预置于熔体液面上方的籽晶插到熔体底部,同时向冷却杆通入冷却介质进行晶体生长,在生长的整个过程中,熔体以0.5°~5℃/天的速度降温,并保持0.5~5℃/cm的温度梯度,其特征在于使用压缩氮气作为冷却介质,冷却杆与埚底接触面的直径不大于2mm,籽晶杆是用包铂箔的带孔氧化铝陶瓷杆。

2、按照权利要求1、所规定的方法,其特征在于所说的坩埚旋转是周期性地做顺、逆时针方向旋转/旋转速度在3~30转/分,顺逆交替周期为5~15分钟。

3、按照权利要求1所规定的方法,其特征在于所说的籽晶旋转速度为5~15转/分,所说的坩埚旋转和籽晶旋转可分别单独进行,最佳的是两种旋转同时进行且方向相反。

4、一种KTP单晶的熔盐生长方法,以磷酸氧钛钾化合物为原料,多磷酸钾盐为熔剂,两者按1∶19~2∶3的比例混匀,装入敞口铂金坩埚,在950°~1100℃下熔融并均化,然后以10°~30℃/小时的速度降温至结晶温度,恒温5~50小时,使坩埚旋转并将预置于熔体液面上方的籽晶插入熔体液面,进行晶体生长,在整个生长过程中,熔体以0.5°~5℃/天的速度降温,并保持0.5~5℃/cm的温度梯度,其特征在于使用包铂箔的带孔氧化铝陶瓷杆作籽晶杆。

5、按照权利要求4所规定的方法,其特征在于所说的坩埚旋转是周期性地做顺、逆时针方向旋转,旋转速度在3~30转/分,顺逆交替周期为5~15分钟。

6、按照权利要求4所规定的方法,其特征在于所说的籽晶旋转速度为5~15转/分,所说的坩埚旋转和籽晶旋转可分别单独进行,最佳的是两种旋转同时进行且方向相反。

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