[其他]磷酸氧钛钾单晶的熔盐生长方法和有关装置无效
申请号: | 85100836 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN85100836B | 公开(公告)日: | 1988-07-20 |
发明(设计)人: | 沈德忠;黄朝恩 | 申请(专利权)人: | 国家建筑材料工业局人工晶体研究所 |
主分类号: | C30B29/14 | 分类号: | C30B29/14;C30B9/04 |
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地址: | 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磷酸 氧钛钾单晶 生长 方法 有关 装置 | ||
本发明涉及一种非线性光学晶体磷酸氧钛钾(KTiOPO4,简称KTP)的生长方法。
早在七十年代初,KTP晶体就已出现,但做为一种有用的晶体,只是在发现了它的非线性光学特性后,才受到人们的重视。最近几年,该晶体日益显示出它的重要性,它是迄今为止所发现的所有非线性光学晶体中性能最优异的一种。
已知的KTP单晶生长的方法有水热法和熔剂法两种,见US3949323和US4231838。水热法是把KTP晶体放置在具有3000个大气压力,以黄金为内衬的高压釜中,在800℃左右进行晶体生长。该法生长条件苛刻,制造高压釜的材料要求很高,而且高压釜的封装和开启都很困难,长出的晶体也不大。旋转球形铂坩埚底部籽晶法,只见过题目报导,未见有该法的任何细节公布,不过从其它有关资料可知,应用该法在坩埚装料、焊封及切开取出晶体等方面是相当困难的。
本发明的目的在于,寻求一种较为合适的方法生长KTP大单晶。本法不同于传统的熔剂法,是在综合、分析若干晶体生长的技术基础上发明的一种熔盐生长法。
本发明是通过以下三个步骤来实施的。
一、原料的制备:
因为KTP在1160℃时便产生化学分解,常压下不可能得到熔融状态,要使KTP晶体生长在常压下得于进行,必须寻找某种熔盐,使得KTP原料在1160℃以下熔解在该熔盐中,获得KTP的熔液,然后在这种熔液中进行晶体生长。原料的制备包括两个方面,一是制备KTP化合物本身,一是制备KTP的熔盐熔剂。
利用下列的任何一个反应,都可以制备出合乎要求的KTP化合物:
(1)K2TiO(C2O4)2+KH2PO4
→KTiOPO4↓+K2C2O4+H2C2O4
(2)K2CO3+TiO2+(NH4)2HPO4
→KTiOPO4+CO2↑+NH3↑+H2O
(3)KH2PO4+TiO2→KTiOPO4+H2O
KTP的熔剂是多磷酸钾盐,可以是三磷酸到六磷酸的钾盐及它们的混合物。熔剂可通过K2HPO4和KH2PO4来制备。KTP化合物和它的熔剂,既可分别制得,然后按比例混合,也可以合并制备KTP和它的熔剂的反应,一次取得KTP和它的熔剂的符合比例要求的混合物。KTP化合物和熔剂的重量比通常在1∶19~2∶3之间。制备KTP化合物和熔剂的原料,可采用市售的试剂级原料。
二、KTP单晶生长的装置:
KTP单晶生长的装置是一台合适的加热炉,该加热炉至少能加热到1100℃,加热腔内最高温处与其附近具有0.5°~5℃/cm的温度梯度,具有精密的温度控制系统,控温精度为±0.5℃。炉子的加热腔可放置坩埚,坩埚的底部和炉子的底部的转动机构相连接,能使坩埚均匀地沿水平方向旋转,以使在生长过程中晶体和熔体间有一个相对的运动,坩埚底部还能与一冷却杆相接触,使冷却介质通过冷却杆来局部降低坩埚的温度,以促进结晶的形成和晶体的生长。冷却杆和坩埚底的接触面不得大于φ2mm。
炉子的上方安装着籽晶杆,籽晶杆的下端能装卡KTP籽晶,上端和一转动机构相联接,能使籽晶杆作绕轴向的旋转运动,该籽晶杆也能上下移动,以便能伸入开口坩埚中的适当位置上,以便于将生长在籽晶上的晶块提高熔体。籽晶杆还能附有冷却装置,以便于控制籽晶附近的温度,便于晶体的生长。如果采用导热性良好籽晶杆,也可不用附加冷却系统,如用铂箔包裹着的带孔的氧化铝陶瓷杆,便是一种满意的籽晶杆。杆的直径从φ3-φ10mm。
在晶体生长过程中,既可使坩埚作水平旋转,也可使籽晶杆旋转,也可二种运动同时进行,二种运动比单一运动,效果更佳。
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