[其他]制造半导体集成电路的隔离方法

权利要求书

1、一种半导体集成电路的隔离方法是在P-Si衬底上做n⁺埋层扩散，再做N型外延生长，然后做P⁺隔离扩散，使杂质由外延层上向外延层下扩散，达到隔离目的。本方法的特征是做N型外延之前，先做P⁺杂质予隔离扩散。外延之后做氧化，在氧化过程中，同时达到隔离目的。

2、按照权利要求1的方法，其特征是P⁺杂质在衬底和外延层之间，由下至上的反向扩散。呈园锥形穿透外延层，达到隔离目的。

3、按照权利要求1的方法，其特征是P-Si衬底上做P⁺杂质予隔离扩散，其予沉积R_□＝40～60Ω/□，再分布R_□＜100Ω/□。

4、按照权利要求1的方法，其特征是在外延之后通干氧氧化达到隔离目的，氧气流量为1000ml/分，炉温为1100～1200℃，时间为2-4小时。