[发明专利]氮基陶瓷材料无效
申请号: | 85101384.8 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN1017422B | 公开(公告)日: | 1992-07-15 |
发明(设计)人: | 托米·克拉斯·艾克斯特罗姆;尼尔斯·安德斯·英格尔斯特罗姆 | 申请(专利权)人: | 桑特拉德有限公司 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 罗英铭,刘元金 |
地址: | 瑞士卢塞恩州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷材料 | ||
1、以氮化硅、氮化铝和氧化铝为基础的陶瓷材料,其特征在于此种陶瓷材料包含有多型的Si-Al-O-N;α型Si-Al-O-N相和β型的Si-Al-O-N相之一或两者;和部分为结晶状的晶间相。
2、根据权利要求1所述的陶瓷材料,其中烧结的结构按体积百分比计含有:0.5~70%的多型相;20~99%的α型相或5~80%的β型相;以及0.1~20%的晶间相。
3、根据权利要求1所述的陶瓷材料,其中烧结结构按体积百分比计含有:0.5~70%多型相;至少30%α型相和最多70%β型相的混合相;和0.1~20%的晶间相。
4、根据权利要求3所述的陶瓷材料,其特征在于烧结的结构中按体积百分比计总共至多含70%的混合相。
5、根据权利要求3所述的陶瓷材料,其特征在于烧结的结构按体积百分比计含有:30~99%的多型Si-Al-O-N,最多70%的α型Si-Al-O-N相;最多70%的β型Si-Al-O-N;最多30%的结晶AlN;和0.1~20%的晶间相。
6、根据上述2至4中任何一项权利要求所述的陶瓷材料,其特征在于烧结的结构中按体积百分比计含有至少1%或最多50%的多型相。
7、根据上述2至5中任何一项权利要求所述的陶瓷材料,其特征在于烧结的结构中按体积百分比计含有最多15%的晶间相。
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