[发明专利]氮基陶瓷材料无效
申请号: | 85101384.8 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN1017422B | 公开(公告)日: | 1992-07-15 |
发明(设计)人: | 托米·克拉斯·艾克斯特罗姆;尼尔斯·安德斯·英格尔斯特罗姆 | 申请(专利权)人: | 桑特拉德有限公司 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 罗英铭,刘元金 |
地址: | 瑞士卢塞恩州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷材料 | ||
本发明论述一种具有超高温特性,抗热冲击性高且导热性能异常良好的氮基陶瓷材料。此种材料特别适用于用作切削工具材料。本发明涉及Si-Al-O-N型一类氮化物陶瓷,其中,分散的多种类型的沉积物给予此种陶瓷材料的性质以积极的影响。
已有许多文章和专利描述到Si-Al-O-N系统(例如《氮基陶瓷进展》一书,F.L.Riley编辑,Martinus Nijhoff出版社1983年出版)以及添加过Y2O3之类某种氧化物后的相关系。一般组成为Si6-ZAlZOZN8-Z的六方晶相,其中0<Z≤4.2,已知是β-Si-Al-O-N,这种材料的晶体结构与β-Si3N4相同。另一类六方晶相的一般组成MX(Si,Al)12(O,N)16,其中0<X<2而M=钇或其他Li·Ca·Mg一类金属以及镧化物或这些金属的混合物。另一些具有适当离子半径的金属也能稳它的α相。α型Si-Al-O-N的主结构与α-Si3N4相同。但已发现,由于La和Ce的离子半径似乎过大,很难使之成为α型Si-Al-O-N的一部分。
Si-Al-O-N系或M-Si-Al-O-N系中的许多相具有可以描述为纤锌矿上层结构的一类结构,在那种上层结构中,AlN结晶化了。字母M如前段所述,表示一种或多种金属,例如Y、Mg、Be、Li或Sc。还可能包括其他具有适当离子半径的金属。这些相,众所周知为多型的,它们在Si-Al-O-N系统中出现于高Al和高N含量所确定的象限中,即接近于AlN角。上述的一种或多种相以后普遍由“多型”记号给出。多型结构多少属良好排列,而可以归之为前述的纤锌矿基本结构(例如,可参看前面提到的那本书)。此种多型相具有六角形的或菱形的晶胞,它们由所谓的Ramsdell符号描述为8H、15R、12H、21R、27R和2H。文献中,此类多型相常据这些符号描述,例如,记作12H多型材料等。
Si-Al-O-N及许多M-Si-Al-O-N系的基础性相分析研究业已在本世纪七十年代进行,并已有大量的象前面提到过的那一类著述。在七十年代初期还有过若干应用β型Si-Al-O-N的专利,其中特别要提到的是东芝(例如美国专利3969125)、丰田(例如美国专利3903230)与Lucas(例如美国专利3991166)。有关以Li形成一种α型Si-Al-O-N的最早一篇文章已于1972年发表,接着有许多其他文章。业已肯定,关系到切削工具材料的元素钇,形成了上述的Si-Al-O-N相(S·Hampshire,H·K·Park,D·P·Thompson and K·H·Jack Nature,Vol 274,1978,P880-882),而且很早就指出过,α型Si-Al-O-N有可能给工艺部门带来利益。例如,适才三位作者在“α型硅铝氧氮陶瓷”(Science,Vo l.10,1980,P251-256,H·Hausnlr主编)一文,进而在英国专利2118927A中描述到,α型和β型的Si-Al-O-N是可能按某些组成制得的。该项专利涉及到具有α型Si-Al-O-N相、β型Si-Al-O-N相和一种玻璃相的,硅铝氮氧化合物型的陶瓷切削材料。这种材料的许多优点,例如在切削中的优点,根据本发明,出人意料地发现存在于含多种晶型的Si-Al-O-N材料中,而这是过去从未报导和提出过的。
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