[其他]绝缘瓷套低温自催化镀镍镀铜工艺无效

专利信息
申请号: 85102168 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85102168B 公开(公告)日: 1987-06-10
发明(设计)人: 章兆兰 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C23C18/16 分类号: C23C18/16;H01G13/00
代理公司: 陕西师范大学专利代理事务所 代理人: 樊锁强
地址: 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 低温 催化 镀铜 工艺
【权利要求书】:

1.电力电容器绝缘瓷套金属化的方法,其特征在 于将预处理后的瓷套,用化学镀的方法,先低温自催 化镀镍,然后再低温自催化镀铜。

2.按照权利要求1所说的方法,其预处理的步骤 为酸侵蚀、敏化、活化三部分,其特征在于酸蚀液是 由35ml/1HF和24g/1NH4F组成,操作条件是浸 泡3-5分钟;敏化液是由10g/1SnCl2和 40ml HCl(36-37%)组成,浸泡时间为1-3分钟;活 化液是由2.2ml/1 HCl(36-37%)和0.22g /1PdCl2组成,浸泡时间为1-3分钟。

3.按照权利要求1所说的方法,其特征在于低温 自催化镀镍的镀液由甲、乙两种溶液组成,其中:

使用时将甲、乙两种溶液按体积1∶1混合即 成镍镀液。

4.按照权利要求3所说的方法,其特征在于低温 自催化镍镀液中的甲液和乙液以如下组成为最佳:

5.按照权利要求3或4所说的方法,其特征在于 低温自催化镀镍的施镀条件为:在25-35℃, pH=9-10条件下,施镀50-60分钟。

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