[发明专利]动态随机存取存贮器单元(dram)和生产方法

权利要求书

1、一半导体存贮单元，包括：

一在其上形成有一沟槽的衬底;

一具有一沟道的场效应晶体管，所述沟道被置于可提供沿所述沟槽的壁流动的沟道电流;和

基本与所述衬底绝缘的在所述沟槽中的一存贮结点。

2、权利要求1中所述的存贮单元，其中所述沟道包围着所述沟槽的上部。

3、权利要求1中所述的存贮单元，其中所述沟道是在所述衬底中的。

4、权利要求1中所述的存贮单元，其中所述沟道是置于一在所述沟槽中形成的材料上的。

5、权利要求1中所述的存贮单元，其中包围所述存贮材料的绝缘部分的所述衬底的绝大部分为掺杂的N+，N或P+。

6、在半导体衬底上的存贮单元，包括：

一在所述衬底的一沟槽内形成的电容;

一在所述衬底上形成的场效应晶体管，所述场效应管与所述电容的一板极相联，所述板极与所述衬底相互绝缘。

7、权利要求6中所述的存贮单元，还包括一形成在所述衬底上并与所述电容器板极由一介电材料相绝缘的重掺杂区，所述重掺杂区作为所述电容器的第二个板极。

8、一在一衬底上的存贮单元陈列，包括：

多个在所述衬底上的并行第一传导线;

多个与所述第一传导线相交但与之相绝缘的并行第二传导线;和

多个存贮单元，每个所述单元包括一个场效应晶体管，所述场效应晶体管一之的源极与所述并行第一传导线的一个相联，其栅极与所述并行第二传导线的一个相联，在所述衬底的所述沟槽中的所述的相交点下面有一电容，所述晶体管的源极与所述电容的一第一板极相联，所述第一板极与所述衬底相绝缘。