[其他]垂直磁性记录介质无效
申请号: | 85103512 | 申请日: | 1985-05-02 |
公开(公告)号: | CN85103512B | 公开(公告)日: | 1988-12-21 |
发明(设计)人: | 二本正昭;本多幸雄;上坂保太郎;吉田和悦 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;日立精机株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 吴秉芬 |
地址: | 日本东京都千代*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 磁性 记录 介质 | ||
1、一种垂直磁性记录介质,它包括一个衬底、一个从属层和一个由钴基合金制成且沉积在所述从属层的垂直磁性膜,其特征在于,所述从属层由主要成分为选自硅和锗组成的元素组/至少一种元素的材料制成,且所述从属层系沉积在所述衬底上。
2、按照权利要求1所述的垂直磁性记录介质,其特征在于,所述从属层的厚度取至少100A到至多1μm。
3、按照权利要求2所述的垂直磁性记录介质,其特征在于,所述从属层的厚度至少150A至多1000A。
4、一种垂直磁性记录介质,它包括一个衬底、一个从属层和一个由钴基合金制成且沉积在所述从属层的垂直磁性膜,其特征在于,所述从属层由这样一种材料制成,该材料的主要成分为选自硅和锗组成的元素组的至少一种元素,且该材料含有从锡、钛、锆和硼组成的元素组选出的至少一种元素,该元素的含量系在这样的一个范围,使所述从属层的晶体结构中不致出现金刚石结构和非晶形结构以外的任何结构,且所述从属层系沉积在所述衬底上。
5、按照权利要求4的垂直磁性记录介质,其特征在于,所述从属层的厚度至少为100埃,最多为1微米。
6、按照权利要求4的垂直磁性记录介质,其特征在于,所述从属层的厚度至少为150埃,至多为1000埃。
7、按照权利要求1的垂直磁性记录介质,其特征在于,至少在所述衬底上生成所述从属层的那个表面是由软磁材料所制成,该软磁层是在钴基合金膜的沉积工艺之前形成的。
8、按照权利要求2的垂直磁性记录介质,其特征在于,至少在所述衬底上生成所述从属层的那个表面是由软磁材料所制成,该软磁层是在钴基合金膜的沉积工艺之前形成的。
9、按照权利要求3.的垂直磁性记录介质,其特征在于,至少在所述衬底上生成所述从属层的那个表面是由软磁材料所制成,该软磁层是在钴基合金膜的沉积工艺之前形成的。
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