[其他]垂直磁性记录介质

说明书

本发明是关于一种适用于垂直磁性记录系统的磁性记录介质。

垂直磁性记录系统的记录方向是垂直于记录介质膜平面的。它是一种适合于增强记录密度的系统，因为在高密度记录情况下，每位内的去磁磁场是低的。有一系列钴基合金薄膜，如钴-铬（CO-Cr）、钴-钒（CO-V）、钴-钼（CO-MO）、钴-钨（CO-W）、钴-铼（CO-Re）、钴-氧（CO-O）、钴-铬-铑（CO-Cr-Rh）、钴-铬-钌（CO-Cr-Ru）及钴-镍-氧（CO-Ni-O）膜，都可用作为此目的的磁性记录介质。这些钴基合金中的任何一种都具有一个六方晶系密集（h.c.p.）的晶体结构，并且这种合金具有的优点是构成薄膜的细小晶体颗粒是易于在c轴定向的。为了增强磁性记录特性，薄膜的c轴定向度需要提高。

目前使用的垂直磁性记录介质是这样的，钴基合金膜是直接粘结在非磁性衬底上或者还通过一个坡莫合金（一个呈高导磁率的镍-铁合金其主要成分是镍）的软磁薄膜或者其它类似的材料。非磁性衬底可以采用诸如聚酰亚胺塑料膜、聚乙烯对苯二酸盐塑料膜或类似的材料以及铝片或玻璃片等来做。在这类衬底上形成钴基合金膜时，这种钴基合金膜对衬底必须具有良好的附着力，并具有高度的c轴定向度。然而，当钴基合金膜是用蒸发的方法直接粘结在塑料膜或玻璃板上时，存在着这样一些问题：结合强度不够，使钴基合金膜容易从衬底剥落下来，并且其c轴定向特性随衬底表面清洁度的不同而变化。此外，当钴基合金膜是粘结在铝或其他类似的金属衬底上或粘结在坡莫合金软磁金属膜或其他类似的材料上时，基底金属颗粒的晶体定向性将对粘结在其上的钴基合金的c轴定向度起到一个有害的影响。例如，铝及坡莫合金都具有面心立方晶格（f.c.c.）结构，并且已知当面心立方结构的（111）平面越平行于衬底平面时，粘结在其上的钴基合金的c轴定向度也就更好。然而，由于实际衬底的（111）平面或软磁金属薄膜对衬底平面的平行度并不是很好，这就存在这样一个问题，钴基合金的c轴定向度将比把合金膜粘结在塑料或玻璃衬底上的情况更坏。再者，正如官方公报所载日本公开专利申请（№56-70618）中所揭示的：当钴-铬合金膜在衬底上形成时，如果把具有六方晶系密集晶格（以下以h.c.p.缩写）的结构材料的c轴定向为垂直于衬底表面而在衬底表面形成钴-铬合金膜时，则其c轴定向度会得到改善。然而，在这种情况下，由于h.c.p.结构作基底材料的晶体定向性也是有问题的，不利的是钴基合金的特性受基底膜层晶体定向性的控制。

引用以下的参考资料来表示现有技术状况;ⅰ）登载日本公开专利申请（№56-70618）的公报ⅱ）登载日本公告专利申请（№58-91）的公报。

本发明的目的是解决先有技术工艺方面的困难，并提供一种垂直磁性记录介质。根据这种介质，当采用塑料、玻璃或类似的非金属衬底与钴基合金膜粘结时，除其结合强度可得到加强外，钴基合金膜的c轴定向度也可以得到加强，而且当把钴基合金膜粘结在铝或类似的金属衬底或软磁金属膜上时，合金膜的c轴定向度得到了改善。

为了实现此目的，本发明的垂直磁性记录介质将包含一个衬底，一个从属层，这个从属层的材料的主要成分中至少含有一种选自组成硅锗族的元素，从属层被沉积在该衬底上，并且一垂直磁膜（即，具有垂直磁性的各向异性的膜），沉积在该从属层上。

发明者的实验说明，若在粘结上钴基合金前，把由类金属硅或锗或其合金制成的从属层薄膜先在衬底上形成，然后粘结钴基合金膜，这样所制作的有利于c轴定向特性的膜具有良好的可再生性。不论采用什么样的衬底，粘结在硅、锗或其合金的薄膜上的钴基合金的c轴定向度都基本上趋于一良好的恒定值。不论采用那一种蒸发的方法，如喷射法及离子束溅射法，都注意到了这一趋势。因此，上述提到的任何一种薄膜沉积方法都可用来产生从属层及钴基合金膜。同样也已经表明，当在一个非金属材料的衬底上，诸如塑料或玻璃上，粘结钴基合金时，并在它们之间生成一硅、锗或其合金层的话，就能使得结合强度增加，并且可以有效地防止钴基合金膜的剥离或龟裂。硅或类似材料的从属层的沉积以及钴基合金膜的沉积应该在同一个真空装置内连续地完成。如果从属层被沉积后并被暴露在空气中，其表面就会被氧化或污染。这样，钴基合金膜的c轴定向度就会变坏。