[其他]在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒

权利要求书

1、一种半导体器件，其组成为：

A)包含一种金属间化合物半导体的半导体材料层，

B)与上述半导体层相邻的第一势垒层；该势垒层包含有磷元素。

2、权项1的半导体器件，还包括：

C）与第一势垒层的一边相邻，但不与半导体层相邻的第二势垒层。该层包含磷元素和MPx，其中M是一种碱金属，x值的范围是15至无穷大。

3、一种半导体器件，其组成为：

A）、半导体材料层，它包含一种金属间化合物半导体;以及

B）、第一势垒层，它与半导体层的一面相邻接;该势垒层含有MPx，其中M是一种碱金属，x值的范围是由15至无穷大。

4、属于权项1的半导体器件，还包括：

C）、一个第二势垒层，它与第一势垒层的一个面相邻接而不与半导体层相邻接;该第二势垒层也含有由MPx和磷所组成的材料组之一。

5、属于权项2或4的半导体器件，其中第二势垒层在导电性能方面与第一势垒不同。

6、属于权项2或4的半导体器件，其中一种势垒层是掺杂的。

7、属于权项6的半导体器件，其中另一种势垒是非掺杂的。

8、属于权项7的半导体器件，其中第一势垒层是非掺杂的。

9、属于权项2或4的半导体器件，还包括：

D）一个第三势垒层，它与半导体层的另一个面相邻接，该第三势垒层材料选自磷和MPx所组成的材料组，其中M是一种碱金属，x值的范围是由15至无穷大。

10、属于权项9的半导体器件，其中第一和第三势垒层在导电性能方面与第二势垒层不同。

11、属于权项10.的半导体器件，其中，第一和第三势垒层在掺杂方面与第二势垒层不同。

12、属于权项11的半导体器件，其中，第一和第三势垒层是非掺杂的，而第二势垒层是掺杂的。

13、属于权项9的半导体器件，还包括：

E）一个第四势垒层，它与第三势垒层的另一个面相邻接。

14、属于权项13的半导体器件，其中第一和第三势垒层在导电性能方面与第二和第四势垒层不同。

15、属于权项14的半导体器件，其中第一和第三势垒层在掺杂方面与第二和第四势垒层不同。

16、属于权项15的半导体器件，其中第一和第三势垒层是非掺杂的，而第二和第四势垒层是掺杂的。

17、权项1或2的任何一项中所说的器件，其中金属间化合物半导体含有一种磷族元素。

18、在权项17中所说的器件，其中金属间化合物半导体是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体。

19、在权项18中所说的器件，其中势垒层中的至少一个是非晶态磷它具有层状、折皱片状局部排列顺序。

20、在权项18中所规定的器件，其中势垒层中至少一个是单斜晶磷。

21、在权项18中所说的器件，其中势垒层中至少一个是红磷。

22、在权项3或4的任何一项中所说的器件，其中金属间化合物半导体含有一种磷族元素。

23、在权项22中所说的器件，其中金属间化合物半导体是一种Ⅲ-Ⅴ族元素。

24、制造量子阱器件的方法，是在一种含有磷族元素的金属间化合物半导体上沉积一种含磷的势垒层。

25、制造量子阱器件的方法，是在一种含有磷族元素的金属间化合物半导体上沉积势垒层，该势垒层含有MPx，其中M是一种碱金属，x值的范围是由15至无穷大。