[其他]在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒

说明书

本申请是下述共同未决的美国专利申请的延续部分。其申请序号为509，210;581，115;581，140;581，171。

本申请涉及如下共同未决的专利，这些专利与本专利的代理人相同。本文援引这些专利申请作为参考文献。这些美国专利申请的标题为：《磷化物半导体材料，制备的方法和装置以及用其制成的器件》序号为No。335，706，申请日期1981年12月30日，现已弃权;《用一种碱金属蒸气形成的单斜晶磷》序号No。419，537，申请日期1982年9月17日，该申请是序号No。335，706的延续部分;《磷化物材料，它们的制备和应用，以及由其制成的半导体和其他器件》序号442，208，申请日期1982年11月16日该申请是序号No。335，706和419，537的延续部分;《磷化物材料的真空气相生长薄膜》序号No。509，159，申请日期1983年6月29日;《添加碱金属的石墨蒸气源》序号No。509，157，申请日期1983年6月29日;《磷化物材料的溅射半导电薄膜和用其制造的器件》序号No。509，175，申请日期1983年6月29日;《用单质磷族元素或多磷化合物绝缘层制成的金属-绝缘体-半导体器件（MIS）》序号No。509，210，申请日期1983年6月29日;《结晶态多磷化合物的液相生长》序号No。509，158，申请日期1983年6月29日;《在高真空过程中形成磷族元素薄膜的热裂化》序号No。581，139，申请日期1984年2月17日，该申请是序号No。509，159的延续部分;《含有磷族元素，特别是含有一种层状结构的非晶态磷族元素的Ⅲ-Ⅴ族器件的钝化和绝缘》序号No.581，115，申请日期1984年2月17日;《在量子阱器件中的磷族元素势垒》序号No.581，140，申请日期1984年2月17日;《在光电器件中磷族元素作为波导的应用》序号No.581，171，申请日期1984年2月17日;《采用磷族元素连续输运方式，特别是溅射方式的真空沉积过程》序号No.581，103，申请日期是1984年2月17日;《为薄膜沉积而提供的连续磷族元素源和输运方式，特别是化学气相沉积方式》序号No.581，102，申请日期19842月17日;《制备高纯白磷的方法》序号No.581，105，申请日期1984年2月17日;《用于真空系统的磷族元素收集器》序号No.581，101，申请日期1984年2月17日;《采用磷族元素连续输运方式的高真空沉积过程》序号No.581，104，申请日期1984年2月17日;《采用一种多磷族元素化合物半导体的薄膜场效应晶体管》，序号No.619，053，申请日期1984年6月11日;序号No.442，208中的一部分;《磷化物材料的掺杂》序号No.677，911，申请日期1984年12月4日《磷化物材料的制备和用途，以及使用该材料的半导体器件和其它器件》序号No.677，845，申请日期1984年12月4日;《磷化物材料薄膜的制备和用途，以及采用该材料的半导体器件和其它器件》序号No.680，369，申请日期1984年12月1日;《磷化物的化学气相沉积，以及采用该材料的半导体器件及其它器件》序号No.678，599，申请日期1984年12月5日;《制备磷化物材料的气相输运装置以及采用该材料的半导体器件和其它器件》序号678，598，申请日期1984年12月5日;《磷化物材料的合成和强化》序号No.680，781，申请日期1984年12月11日;《采用瞬间气化方式制备磷化物材料的方法和装置，以及采用该材料的半导体器件和其它器件》序号No。680，369，申请日期1984年12月11日。

本发明涉及在量子阱器件中的磷和高磷多磷化合物势垒。特别是采用这种势垒的量子阱器件;异质结器件;场效应晶体管，金属半导体场效应晶体管（MESFETS），环形振荡器，两维电子气晶体管，光探测器和激光器。

各种磷及高磷多磷化合物的同素异形体与许多常用的含磷族元素的二族、三族及四族半导体相比，具有更大的能带间隙。它们被用于量子阱异质结器件中。该同素异形体能以薄膜方式生长在这种半导体材料中并具有良好的附着性和界面特性。请参照上述同期未决申请的标题为《含有磷族元素的特别是含有一种层状结构的非晶态磷族元素的Ⅲ-Ⅴ族器件的钝化和绝缘》（欧洲专利申请号为84    304    427.2公开发表号为0132326，日期：1985年1月30日）。