[其他]用低电流驱动三态门阵列的驱动电路无效

专利信息
申请号: 85106480 申请日: 1985-08-29
公开(公告)号: CN85106480A 公开(公告)日: 1987-03-18
发明(设计)人: 王贤谨 申请(专利权)人: 坦德姆计算机公司
主分类号: H03K19/177 分类号: H03K19/177
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 吴秉芬
地址: 美国加利福尼*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电流 驱动 三态 门阵列 电路
【权利要求书】:

1、使三态门阵列的复杂输出缓冲器同步进入及脱离悬浮第三态的驱动器线路,该驱动器线路的组成为二

a复杂缓冲器的驱动晶体管,每个输出缓冲器有一个,每个缓冲器的驱动晶体管有一原电流通路与各自输出缓冲器的第三态控制输入相联结,每个缓冲器晶体管还有一个控制电极;

b、第一电阻器;

c、一个共用驱动晶体管,具有一条原电流通路,经上述第一电阻器与地相接;

d、传输导线用以使共用晶体管原电流通路及第一电阻器的结点与所述每个缓冲器的驱动晶体管的控制电极相联结。

e、钳位电路用于当共用驱动晶体管断开时,从传输导线到地释放电荷。钳位电路包括一个钳位晶体管,具有一条与传输导线及地相接的原电流通路并有一个控制电极;钳位电路还包括微分器,与共用驱动晶体管相接,用以检测共用驱动晶体管断开时的前沿,还与钳位晶体管的控制电极相接,当对所述的前沿进行检测时,用以使钳位晶体管瞬时导通,从而迅速的钳制传输导线接地。

2、一个驱动器用以控制一个三态门阵列的复杂输出缓冲器进入及脱离悬浮第三状态,其中每个输出缓冲器有一个肖特基(Schot-tky)控制晶体管,该晶体管有一个控制电极,能反应高电平及低电平状态控制信号,使缓冲器分别进入高及低电平状态,所述控制信号包括:

a、复杂缓冲器的驱动晶体管,每个输出缓冲器有一个,每个缓冲器的驱动晶体管有一个导体与各自的肖特基控制晶体管的集电极相接,一个发射极接地,还有一个门电极;

b、第一电阻器;

c、电源;

d、一个共用驱动晶体管,其集电极与电源相接,发射极经过第一电阻器接地,及一个门电极;

e、传输导线将共用驱动晶体管的发射极与每个缓冲器的驱动晶体管的门电极相接;及

f、钳位电路当共用驱动晶体管断开时用以使传输导线接地放电,所述钳位电路包括一个钳位晶体管,其集电极与传输导线相接,其发射极接地,和一个门电极;钳位电路还包括微分器,该微分器有一个第二电阻器与钳位晶体管的门及地之间相接,有一个电容器与共用驱动晶体管的集电极及钳位晶体管的门之间相接,当共用驱动晶体管断开时,钳位晶体管即瞬时导通,因此迅速钳制传输导线接地。

3、权利要求1的驱动器线路其中缓冲器的驱动晶体管各为一个肖特基晶体管。

4、权利要求2的驱动器线路其中缓冲器的驱动晶体管各为一个肖特基晶体管。

5、权利要求1的驱动器线路其中共用驱动晶体管是一个肖特基晶体管。

6、权利要求2的驱动器线路其中共用驱动晶体管是一个肖特基晶体管。

7、权利要求1的驱动器线路其中钳位晶体管是一个肖特基晶体管。

8、权利要求2的驱动器线路其中钳位晶体管是一个肖特基晶体管。

9、权利要求1的驱动器线路其中缓冲器晶体管各为一个肖特基晶体管且共用驱动晶体管也是一个肖特基晶体管。

10、权利要求2的驱动器线路其中缓冲器的驱动晶体管各为一个肖特基晶体管共用驱动晶体管也是一个肖特基晶体管。

11、权利要求1的驱动器线路其中共用驱动晶体管及钳位晶体管二者都为肖特基晶体管。

12、权利要求2的驱动器线路其中共用驱动晶体管及钳位晶体管二者都是肖特基晶体管。

13、权利要求1的驱动器线路其中缓冲器的驱动晶体管各为一个肖特基晶体管钳位晶体管也是一个肖特基晶体管。

14、权利要求2的驱动器线路其中缓冲器的驱动晶体管各为一个肖特基晶体管钳位晶体管也是一个肖特基晶体管。

15、权利要求1的驱动器线路其中缓冲器的驱动晶体管、共用驱动晶体管及钳位晶体管各为一个肖特基晶体管。

16、权利要求2的驱动器线路其中缓冲器的驱动晶体管,共用驱动晶体管和钳位晶体管各为一个肖特基晶体管。

17、权利要求1的驱动器线路其中传输导线安设在门阵列的金属层内。

18、权利要求2的驱动器线路其中传输导线安设在门阵列的金属层内。

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