[发明专利]高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺无效
| 申请号： | 85108372.2 | 申请日： | 1985-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1007476B | 公开（公告）日： | 1990-04-04 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特R·道尔林;迈克尔P·德奈;格雷戈里J·阿姆斯特朗 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/265;H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 吴淑芳 |
| 地址： | 美国得克萨斯州75265达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 互补 金属 氧化物 半导体 集成电路 制造 工艺 | ||
1、一种制造互补型金属氧化物半导体双阱半导体器件的方法，其中，N和P杂质注入并驱入所选定的半导体一表面区域，从而形成N和P阱区，其后，在所述P和N阱区各自的栅极上自对准地形成N和P沟器件的源极和漏极，其特征在于，分别控制所述N和P杂质，以建立所述随后形成的N和P沟器件的阀值电压，而不需要附加的阀值调整杂质注入。
2、按照权利要求1所述的方法，其特征在于，它包括步骤：在所述表面上形成一层氧化物掩膜，并在所述P阱区的所述掩膜里开一个孔，然后，腐蚀一个凹口到所述孔里的所述表面的半导体材料中，氧化在所述凹口里的所述半导体材料，从而形成一个延伸到所述表面里的场氧化物隔离区，并且场氧化物隔离区有一个与所述表面差不多在同一平面的上表面。
3、一种在半导体一表面形成的互补型金属氧化物半导体双阱集成电路器件，所述类型的半导体在所述表面具有一N阱区，在所述N阱区里有一P沟晶体管，在所述表面并具有一P阱区，在所述P阱区里有一N沟晶体管，所述P沟和N沟晶体管的栅分别设置于所述N和P阱区，并且它还具有侧壁垫层，P沟晶体管的源极和漏极区分别自对准与所述各个栅的侧壁垫层自对准的N沟和P沟晶体管，其特征在于，它包括在所述P阱区的所述表面里预先形成的凹口里的一个氧化物隔离区，所述氧化物隔离区具有一个与所述表面在同一平面的上表面。
4、按照权利要求3所述的器件，其特征在于，所述P沟和N沟晶体管具有通过所述N阱区和P阱区分别掺杂而不是通过阀值调整杂质注入所建立的阀值电压。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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