[其他]碳化硅(SiC)二极管温度传感器无效
| 申请号： | 85109140 | 申请日： | 1985-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN85109140B | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 綦明刚;周嶅;邱莉;吴铁;张咏紫;邹小兴 | 申请（专利权）人： | 湖北省襄樊市机电研究所;国家建材工业局建筑材料科学研究院玻璃科学研究所 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00;G01K7/02 |
| 代理公司： | 襄樊市专利事务所 | 代理人： | 孟景前,樊灵芬 |
| 地址： | 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 sic 二极管 温度传感器 | ||
1、一种碳化硅二极管温度传感器，包括一个碳化硅PN结、钨膜和金膜做复合膜电极，用两段金丝做引线，铂丝或镍丝做后引线，氧化铝瓷管做后引线绝缘固定子，其特征在于以P型碳化硅单晶做基底外延N型层时，同时使氮原子扩散到P型基底中去;或者以N型碳化硅单晶做基底时，外延的P型层厚度小于0.1毫米;整个PN结用一种微晶玻璃包封。
2、按照权利要求1所述的碳化硅二极管温度传感器，其特征在于PN结的P型层中氮原子掺杂是用纯氮气，在外延N型层的同时，由外延面和另一面同时扩散进入P型基底中去。
3、按照权利要求1所述的碳化硅二极管温度传感器，其特征在于包封PN结所用的微晶玻璃组份范围（wt%）是：
ZnO25～55MgO2～7
B2O315～25BaO2～7
SiO28～27SnO21～3
Al2O33～15Cr2O30～1
最佳组份范围（wt%）是：
ZnO30～50MgO4～5
B2O320BaO4～5
SiO210～25SnO22～3
Al2O35～12Cr2O30～1
4、按照权利要求1所述的碳化硅二极管温度传感器，其特征在于微晶玻璃的包封温度范围是650～800℃，最佳包封温度范围为650～750℃。
5、按照权利要求1所述的碳化硅二极管温度传感器，其特征在于微晶玻璃的包封时间范围是1～60分钟，最佳包封时间是5～40分钟。
6、按照权利要求1所述的碳化硅二极管温度传感器，其特征在于微晶玻璃的包封气氛为空气。
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