[其他]晶体管-晶体管逻辑型门高到低跃变加速电路无效
申请号: | 85109172 | 申请日: | 1985-12-11 |
公开(公告)号: | CN85109172A | 公开(公告)日: | 1986-08-27 |
发明(设计)人: | 博比·D·斯特朗;罗伯特·C·马丁;凯维恩·M·欧文斯;詹姆士·F·萨尔茨曼 | 申请(专利权)人: | 得克萨斯仪器公司 |
主分类号: | H03K19/01 | 分类号: | H03K19/01 |
代理公司: | 上海市专利事务所 | 代理人: | 颜承根 |
地址: | 美国得克萨斯州75265达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 逻辑 型门高到低跃变 加速 电路 | ||
1、一种改进的跃变加速电路包括:
一接收输入电压跃变的输入晶体管:
一与上述输入晶体管相耦合并随着在上述输入晶体管处的电压跃变而改变状态的输出晶体管;
在上述输入及输出晶体管之间耦合的装置,用以将附加电流加到上述输出晶体管以加速上述状态变化。上述装置施加附加电流直到上述输出晶体管两端的输出电压下降到低于上述输出晶体管的基极-发射极电压的两倍时为止。
2、如权利要求1所述的加速电路,其中上述装置提供对上述附加电流的放大。
3、如权利要求2所述的加速电路,其中上述装置包括一晶体管。
4、如权利要求1所述的加速电路,其中上述装置包括相串联并连接在上述输入及输出晶体管之间的一对单向导电单元,及连接在上述单向导电单元的连接点及上述输出晶体管之间的一加速晶体管,上述输入晶体管及加速晶体管的导通使上述附加电流加到上述输出晶体管。
5、如权利要求1所述的加速电路,其中上述装置包括一单向导电单元,其一端连到上述输入晶体管及其第二端连到肖特基钳位晶体管,上述肖特基钳位晶体管跨接在上述输出晶体管的输入及输出上。
6、如权利要求1所述的加速电路,其中上述装置包括连接在上述输入晶体管及上述输出晶体管的输出之间的-肖特基钳位晶体管。
7、如权利要求6所述的加速电路,进一步包括连到上述肖特基钳位晶体管以提供高阻抗第三状态输出的第二装置。
8、如权利要求7所述的加速电路,其中上述第二装置包括一其阳极连到上述肖特基钳位晶体管的基极的二极管,该二极管的阴极包括上述第三状态输出。
9、如权利要求7所述的加速电路,其中上述第二装置包括一其集电极连到上述肖特基钳位晶体管的基极的第二肖特基钳位晶体管,上述第二肖特基钳位晶体管的发射极包括上述第三状态输出。
10、一种改进的跃变加速电路包括:
-接收低输入电压或高输入电压的输入;
-耦合到上述输入并随着在上述输入处的电压跃变而变为导通的输入晶体管;
-耦合到上述输入晶体管的输出晶体管;
至少一个连接在上述输入及上述输出晶体管之间的单向导电单元;
-连接到上述单向导电单元及上述输出晶体管的输入的加速晶体管;及
上述输出晶体管随着因上述晶体管及上述加速晶体管的导通所加的电流而改变状态。
11、如权利要求10所述的加速电路,进一步包括一第二单向导电单元与上述至少一个单向导电单元相串联,上述加速晶体管连接到上述单向导电单元的连接点。
12、如权利要求11所述的加速电路,其中当上述输入电压及上述输出晶体管的输出都处在相同电压条件下上述单向导电单元对及加速晶体管提供“与”功能,以便为上述输出晶体管提供附加接通电流。
13、如权利要求10所述的加速电路,进一步包括:
连到上述输入晶体管以提供高阻抗第三状态输出的装置。
14、如权利要求10所述的加速电路,其中上述至少一个单向导电单元包括-二极管。
15、如权利要求11所述的加速电路,其中上述第二单向导电单元包括一肖特基二极管。
16、一种改进的跃变加速电路包括:
-其基极连成接收低输入电压或高输入电压的输入晶体管;
-其基极耦合到上述输入晶体管的发射极的输出晶体管,上述输出晶体管的集电极提供输出电压;
-其发射极连到上述输入晶体管的集电极及其集电极连到上述输出晶体管的集电极的加速晶体管;
加到上述输入晶体管的基极的高输入电压导致加速电流由上述加速晶体管加到上述输出晶体管的上述基极以便加速上述输出晶体管的导通并使上述输出电压变化。
17、如权利要求16所述的改进的跃变加速电路,其中上述加速晶体管施加加速电流直到上述输出晶体管的集电极电压下降到低于上述输入晶体管的基极-发射极电压的两倍为止。
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