[其他]电子器件及其制造方法无效
申请号: | 85109696 | 申请日: | 1985-12-25 |
公开(公告)号: | CN85109696A | 公开(公告)日: | 1986-07-16 |
发明(设计)人: | 间濑晃;小沼利光;坂间光范;犬岛乔;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L23/52 | 分类号: | H01L23/52;H01L29/86;H01L21/64;H01L21/31;H01L21/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 刘晖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
1、一种电子器件包括:
一个带绝缘表面的衬底;
在衬底上形成一个层部分,并有制成图形的导电层或半导电层;
其中在衬底上形成一层绝缘层围绕上述层部分,并与该层部分的侧面接触,但不漫延到该层部分的顶部表面。
2、根据权利要求1所述的一种电子器件,其中绝缘层的厚度基本上与上述层部分的厚度相同。
3、根据权利要求2所述的一种电子器件,进一步包括一个导电的和半导电的层部分,漫延到绝缘层上,并与上述层部分接触。
4、一种电子器件的制造方法,包括的步骤是:
在带绝缘表面的衬底上,形成一层制有图形的导电的或半导电的层部分;
在衬底上形成一层光敏有机树脂层,漫延覆盖住上述层部分;
由上述光敏有机树脂层形成一层绝缘层,围绕衬底上的上述层部分;
其中的上述衬底是透光基片;
其中形成的层部分,其透光度大大低于透光衬底的透光度;
其中形成上述绝缘层的步骤包括:对光敏有机树脂层从透光衬底那一侧进行暴光,和对暴光的光敏有机树脂层进行显影。
5、根据权利要求4所述的制造方法,其中形成绝缘层的步骤进一步包括:在上述光敏有机树脂层暴光前对光敏有机树脂层进行热固化和对光敏有机树脂层显影后产生的一层有机树脂层进行热固化。
6、根据权利要求5所述的制造方法,其中形成的上述光敏有机树脂层比衬底上的上述层部分厚一些。
7、根据权利要求6所述的制造方法,其中在衬底上形成的上述光敏有机树脂层具有的厚度是,使其可以形成绝缘层的厚度基本上与上述层部分的厚度相同。
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