[其他]电子器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 85109696 申请日: 1985-12-25
公开(公告)号: CN85109696A 公开(公告)日: 1986-07-16
发明(设计)人: 间濑晃;小沼利光;坂间光范;犬岛乔;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L29/86;H01L21/64;H01L21/31;H01L21/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘晖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法
【说明书】:

发明涉及一种电子器件,该器件具有带绝缘表面的一个衬底和一个层部分,这个层部分包括在该衬底上制有图形的地方形成的导电层或者半导体层。本发明还涉及这种电子器件的制造方法。

迄至今日,人们曾经提出过各种各样的电子器件,器件中有带绝缘表面的一个衬底和一个层部分,这个层部分包括在衬底上制有图形的地方形成的导电层或半导体层。

所形成的层部分,例如,可以是一个作为互相连接的导电层部分。另一种情况是当导电的或半导电材料形成的层部分用做电阻层时,这些层部分是用所希望的具有一定电阻率的导电的或半导电层的材料形成的。再一种情况是这个层部分由重叠层部分构成,在这个结构中,有一个第一导电层用做第一电极,是具有一个PN结或一个PIN结的非单晶半导体层部分,还有第二导电层用做第二电极,叠加在第一电极上,叠加的次序是要使该器件形成一种非线性元件,在正的和负的电压区上其电压-电流特性是二极管特性。还有另一种情况是层部分用叠层部分构成,其结构是第一导电层做为第一电极,是具有一个NIN,NP-N,PIP,PN-P,NIPIN,NP-PP-N,PINIP或PN-NN-P结的非单晶半导体层,和第二导电层做为第二电极重叠在第一导电层上,其顺序是使其成为非线性元件,在正向和负向电压区上,其电压电流特性为二极管特性。

另一种情况是上述层部分由叠层部分形成,其结构是第一导电层做为第一电极,是I-,P-或N-型非单晶半导体层,和第二导电层做为第二电极,其重叠的次序是使其如同一个非线性元件,具有非线性的电压电流特性。还有另一种情况是上述层部分由叠层部分形成,其结构是第一导电层做为第一电极;一个绝缘层做为势垒层,该绝缘层十分薄,足以使遂道电流穿过它;一个第二导电层做为第二电极;这些层的重叠次序是使其形成一个非线性元件,具有非线性电压-电流特性。

在上述电子器件中,如果沿着重叠部分厚度方向上伸延的外表面露在外界空气里,就担心外侧表面的质量由于外界空气的作用会发生变化,结果会破坏重叠部分的特性。从而,灰尘也会污染露出的外侧面,导致产生漏电电流。因此使电子器件的特性由于空气的影响而变坏。

为此,本发明的一个目的是提供一种新型的电子器件,该器件有衬底和在衬底上的一个层部分,该层部分包括在制有图形的地方形成的导电层或半导体层。具有这种结构的电子器件克服了先有技术中的上述缺点。

本发明的另一个目的是提供制造这种电子器件的方法。

按照本发明的电子器件,是用一个绝缘层覆盖住层部分,该绝缘层与层部分的外侧表面接触,但并不漫延到层部分的顶部表面。

具有这种结构的电子器件,由于其外侧表面并没有露在户外空气中,其质量不会变化,也不会受到灰尘的污染。因此,不可能使层部分的特性变坏,也不可能在其外侧表面发生漏电流。从而,电子器件的特性不会因为户外空气的影响而变坏。

为此,当绝缘层的厚度基本上与层部分的厚度相同时,用做互连层或用做电极的导电层可以漫延到整个层部分上,并与之接触,在绝缘层和层部分之间没有任何可能使导电层变得不连续,并很容易地在绝缘层上形成导电层。

按照本发明的制造方法,本发明的电子器件是用包括下列各步骤的制造工艺制成的。

首先,在具有绝缘表面的衬底上形成一层制有图形的导电层或半导体层的层部分。在这种情况下,使用的是透光基片做衬底。因此,所形成的层部分,其透光度大大低于衬底的透光度。

其次,在透光衬底上形成一层光敏有机树脂,使其漫延在衬底上并覆盖住层部分。

再次,用光敏有机树脂在衬底上围绕着层部分形成一个绝缘层。在此情况下,对光敏树脂的暴光是从透明衬底的那一侧进行的。将光敏有机树脂层暴光后进行显影。在实践中,光敏有机树脂层是在暴光之前先热固化。在显影以后,将光敏有机树脂显影产生的有机树脂层再一次热固化。在有这种热处理的情况,最后得到的绝缘层要比最初的光敏有机树脂层薄一些。考虑到上述情况,适当地选择最初的光敏有机树脂层的厚度,可以使形成的绝缘层的厚度基本上与层部分的厚度一样。

本发明的这种制造方法并不包括使用特殊的掩模用来形成围绕层部分的绝缘层,用这种方法制造电子器件是比较容易的。

本发明的其他目的、特点和优点,将从结合附图的详细说明中变得更加明显。

图1-图5是示意性表示本发明的电子器件实施方案的截面图;

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