[其他]抛光法U形槽隔离技术无效
| 申请号： | 86100527 | 申请日： | 1986-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN86100527A | 公开（公告）日： | 1987-09-23 |
| 发明（设计）人： | 徐元森;陈明琪;吴佛春;曹树洪;严金龙;陆锦兰;何德淇;谢明纲;周弼芸 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 秀良赴,沈德新 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 隔离 技术 | ||
【权利要求书】：
1、本发明是U形槽隔离技术，属于集成电路中元件间隔离层制造技术的改进。它包括反应离子刻蚀腐蚀隔离槽，用多晶硅填槽，削平槽外表面多晶硅。本发明的特征是用机械或化学机械抛光方法抛光槽外表面多晶硅。
2、如权利要求1所述U形槽隔离技术，其特征是化学机械抛光用的抛光液为B型抛光液：四甲基氢氧化铵，PH8-10，抛光时压力1-2.5公斤/cm2，对多晶硅的抛光速率为0.1-2μm/分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
