[其他]双极晶体管

权利要求书

1、一种双极晶体管，它包括，第1导电型的半导体衬底、在上述衬底的表面层部分区域上形成的第2导电型的高浓度内埋层、覆盖上述衬底的整个表面并埋置上述内埋层的第2导电型的外延层、包围上述内埋层并从上述外延层的表面贯通至衬底的第1导电型的高浓度隔离区、被上述隔离区包围而分隔成岛状的并由上述外延层构成的第2导电型的集电区、在上述集电区的表面层部分区域上形成的第1导电型的基区和在上述基区的表面层部分区域上形成的第2导电型的高浓度发射区，在上述集电区的表面层上同上述基区和上述隔离区双方接界的第2导电型的高浓度的第1区域，其特征是通过抑制发生在上述基区和第1区的PN结和上述隔离区和第1区的PN结上的耗尽层幅度，从而使上述基区和上述隔离区的间隔距离缩小。

2、根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于上述内埋层比由上述外延层构成的集电区的底面要宽，并与上述隔离区相接触，由此防止寄生晶体管效应。

3、根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于在由上述外延层构成的集电区内的边界部分，还具有从上述外延层表面贯通至上述衬底的第2导电型的高浓度第2区域，由此防止寄生晶体管效应。

4、根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于第1导电型是P型，第2导电型是N型。