[其他]电子管无效

专利信息
申请号: 86101366 申请日: 1986-03-05
公开(公告)号: CN86101366A 公开(公告)日: 1987-03-04
发明(设计)人: 竹中滋男;伊藤武夫;小池教雄;松田秀三 申请(专利权)人: 东芝有限公司
主分类号: H01J5/08 分类号: H01J5/08;H01J29/88
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 王树俦
地址: 日本神奈川*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子管
【说明书】:

本发明的电子管特别涉及含有改善管壳内阴极发射寿命物质的电子管。

例如彩色阴极射线管,作为代表的一种电子管,一般具备有在其内面具有萤光体层的前面板部,与此前面板部相连,其内面具有导电被覆膜的漏斗形部,与漏斗形部相连,内藏电子枪结构体的颈部,以及靠近萤光体层设置的荫罩结构体,以及与此荫罩结构体相连接组合而成,沿着漏斗部内面延伸的内屏蔽部。此外,在图上未表示的,萤光体物质层还至少由能发出红、绿、兰色光的萤光物质点或者萤光物质色条,以及在其上形成的金属衬垫而构成。此外一般都知道,为了使由前面板部,漏斗形部,颈部构成的,即所谓真空管壳的内部的真空度能继续不断维持下去,应在漏斗部的内面或颈部的内面形成金属吸气膜。上述吸气膜就是为吸收在上述彩色阴极射线管的动作中,从构成上述彩色阴极射线管的上述构件中产生的气体,以维持其真空。一般来说,当彩色阴极射线管动作时,会产生因构成电子枪结构体的热源体的热,而从上述热源体附近放出的气体,和因与从上述电子枪结构体放出的电子束的碰撞,从构成上述电子枪结构体的电极材料和荫罩结构体放出的气体,以及因前述电子束与荫罩结构体等碰撞而被反射散射,与内屏蔽或内部导电性被覆膜等再碰撞放出的气体等各种气体,这些气体会因被高电压加速的电子束而离子化,并与构成上述电子枪结构体的阴极面碰撞,将使此阴极面的发射电子的物质层受污染,从而使其发射电子的能力,即发射特性恶化。还有,在前述动作中产生的气体,当前述阴极面等的温度因动作停止而降低时,会被上述吸气膜吸收的同时,也会被上述的阴极面等吸收,使阴极面被污染,从而使发射特性恶化。前述放出气体的主要成份是H2O或CH4等,而为了使以石墨悬浊液为主要成份的内部导电性被覆膜的附着力强,在上述的石墨悬浊液中,一般要混合水玻璃,而此水玻璃吸湿性极大,是一较大的气体发生源,因而会给上述发射特性带来恶化影响,因此,伴随彩色阴极射线管偏转角扩大而产生的颈径的缩小,和为缩短工序,使抽气工序的焙烧温度低温化,从而使前述各种放出气体所引起的发射特性的恶化,即发射寿命的降低会变得更显著。上述发射寿命的降低问题,不仅限于在彩色阴极射线管中存在,即使在其他电子管,例如单色阴极射线管,行波管,以及磁控,速调发射管等中也同样会发生。最后,日本专利申请公开号59-177833揭示了作为石墨导电膜的粘结剂使用SiO2来代替一般所知的水玻璃的工艺,然而此SiO2具有作为粘合剂的机能,而并未表示发射的改善。

本发明以提供即使因上述各种放出气体,也不会使上述发生电子的阴极面的电子发射能力恶化,发射寿命特性优良的,因而能长时间保持所期望的高发光度特性的电子管为目的。

此目的用以下的本发明的结构来达到,也就是本发明是在已排气的管壳内至少具有发生电子的阴极的电子管中,在管壳内部形成活性化氧化硅层而成的电子管。若根据本发明的一种状态,则上述电子管是至少具备由面板部,与面板部密封连接的漏斗部以及从漏斗部的相反一边延长的颈部组成的管壳,在上述面板部内面上形成的萤光体屏幕,在漏斗部内壁上被覆的内部导电性被覆膜,以及包含设置在颈部内的阴极,并能发射电子束的电子枪的阴极射线管,是在上述管壳内部的至少一部份上具有活性化的氧化硅层而成的电子管。

这里,所谓活性化氧化硅就是能吸收在已排气的管壳内的剩余气体,特别是在阴极发射时起负作用的气体的氧化硅。可以推测它能由硅的有机盐制造,且作为具有多数个微细孔的多孔层,被覆在排气管壳壁以及各种电极表面的一部分上。

活性化氧化硅的量,以管壳容积为1公升左右时,取1毫克至50毫克为善。如为1毫克以下,则有助于延长阴极发射寿命的效果较小,而如为50毫克以上的话,其效果的程度将达到饱和。

图1为本发明的一实施例的剖面图,图2表示为说明本发明的作用效果,而涂覆在管壳内部上的固态活性二氧化硅份量和剩余发射率相互关系的特性曲线图,图3为本发明另一个实施例的一部分剖面图。

图1为表示本发明的一实施例,彩色阴极射线管10的管壳11是由大至弯曲成球面,由透明玻璃制成的面板部12,一边的端面和此面板部12的裙部13相封着的漏斗部14,以及和漏斗部的另一端顶头细部连成一体的管状颈部所构成。

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