[其他]减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法无效
| 申请号： | 86102476 | 申请日： | 1986-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN86102476B | 公开（公告）日： | 1988-03-23 |
| 发明（设计）人： | 潘姬;赵洪林;殷淑华 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/322;H01L29/32 |
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 刘志刚,王国欣 |
| 地址： | 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 器件 管道 漏电 表面 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种先形成半导体器件的基区，然后利用高能离子透过基区表面热氧化形成的SiO2层，在基区表面附近的基区接触的局部区域内和随后要形成发射区的局部区域内形成吸杂缺陷，随后形成所说发射区的利用离子注入吸杂技术减少管道漏电流和表面漏电流的制造半导体器件的方法，其特征在于进行离子注入形成吸杂缺陷〔9〕之前，在基区扩散中形成的SiO2层〔5〕上刻出保留一薄层所说SiO2层〔5〕的面积小于发射区〔11〕的小基区窗口〔7〕，其余部分保留光刻胶〔6〕。
2、根据权利要求1，其特征在于所说半导体器件是主要由发射区〔11〕，基区〔3〕和外延层（即收集区）〔2〕构成的双极型器件。
3、根据权利要求1，其特征在于所说高能离子是氩离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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