[其他]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置

权利要求书

1、具有一个在集成电路中可集成的霍耳元件的装置，它具有两个传感器连接触点和至少两个电流连接触点，它们大部分被设置在霍耳元件的上表面上，这个霍耳元件的有源区至少在侧面被一个环所包围，环具有一个环连接头，组成环的材料类型与组成霍耳元件有源区和连接触点的材料类型相反，其特征在于，霍耳元件（1）被埋入半导体材料的内部，环（8）被盖板（9）和底板（10）扩大，以致于扩大的环（8、9、10或11）从所有方向上包围霍耳元件（1）的有源区（7），霍耳元件（1）的传感器、和电流连接触点（2或6），穿过盖板（9）和底板（10）直到和霍耳元件（1）的有源区（7）发生电接触，环（8）、盖板（9）和底板（10）由相同类型的材料组成，它们彼此之间都发生电接触。

2、按权利要求1的装置，其特征在于，霍耳元件（1）的输出（S₁）经控制电路（24、25、26、27）与霍耳元件（1）的环连接头（R）相连。

3、按权利要求2的装置，其特征在于，控制电路（24、25、26、27）至少由实测值处理器（24）、额定值发生器（25）和额定值/实测值-微分器（26、27）组成。

4、按权利要求3的装置，其特征在于，实测值处理器（24）是绝对值发生器。

5、按权利要求4的装置，其特征在于，实测值处理器（24）至少由一个被控制器（28）控制的转换器（29）和一个反相放大器（30）组成。

6、按权利要求5的装置，其特征在于，控制器（28）由一个比较器组成。

7、按权利要求4的装置，其特征在于，实测值处理器由一个整流器组成。

8、按权利要求3的装置，其特征在于，额定值发生器（25）由降压电阻（R′）和场效应晶体管（32）的“源-漏”极串联而成。

9、按权利要求3的装置，其特征在于，额定值/实测值-微分器（26、27）至少由一个差分放大器（26）组成。

10、按权利要求9的装置，其特征在于，差分放大器（26）具有两个实测值输入（E₁、E₄），其中第一个输入（E₁）与实测值处理器（24）的输出相连，另一个输入（E₄）与实测值处理器（24）的输入相连。

11、按权利要求10的装置，其特征在于，差分放大器（26）可作为反相放大器接入电路，与它串联的是另一个反相放大器（27）。

12、按权利要求2的装置，其特征在于，在控制电路（24、25、26、27）中使用的晶体管（例如32）也同样分别具有一个扩大的环（8、9、10），它的结构与霍耳元件（1）的环相同。

13、按权利要求1的装置，其特征在于，扩大的环（8、9、10）是一块整体，因此环（8）、盖板（9）和底板（10）是由相同材料组成的。

14、按权利要求13的装置，其特征在于，环（8）是由重掺杂的掺铝材料组成。

15、按权利要求4的装置，其特征在于，所有传感器、和电流连接触点（2、3、5和6）次数相同地被多次使用，所用数目字名称相同的电流、和传感器连接触点（2、2′、2″或3、3′、3″或5、5′、5″或6、6′、6″）在外部分别通过一个电连接而彼此相连，环（8）具有中间隔片（14、15），它们把环（8）细分成并排的小环（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ）每一个中间隔片（14、15）属于两个相邻的小环（Ⅰ、Ⅱ、或Ⅱ、Ⅲ）所共有，环（8）按下列方式细分成小环（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ）;每一个小环（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ）都用它们所属的、由数目字名称不相同的电流、传感器连接触点组成的组（2′、3′、5′、6′或2、3、5、6或2″、3″、5″、6″）从侧面包围一个有源区（7′、7、7″）。

16、按权利要求1的装置，其特征在于：环（8）由一个表面层组成，它被蒙在由氧化硅或多晶硅组成的环状载体（21）上，底板（10）是一个设置在基片（12）和在基片（12）上生长的层（20）之间界面上的埋入层。