[其他]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置无效
申请号: | 86103480 | 申请日: | 1986-05-21 |
公开(公告)号: | CN86103480B | 公开(公告)日: | 1988-10-19 |
发明(设计)人: | 波波维克·拉迪沃耶;索尔特·卡塔林;伯奇尔·詹露克 | 申请(专利权)人: | 兰迪斯·吉尔楚格股份公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L29/82;H01L29/96;H01L43/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 瑞士楚格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成电路 集成 元件 装置 | ||
本发明涉及一种按权利要求1前序部分所述的、具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置。
这种装置例如可装在功率表或电度表上用来测量电流iN或用来构成电压和电流乘积:uN·iN。在这里uN表示供电网的额定电压,iN表示由电能用户所耗费的电流。因为电流iN与它所产生的磁场HN成正比,所以如果能得出HN,那么霍耳元件就可间接地测量电流iN。因为霍耳电流的输出电压VH与乘积i·HN成正比(这里i表示霍耳元件的馈电电流),所以如果用电阻使霍耳元件的馈电电流i正比于电网电压uN,那么霍耳元件也能构成电压和电流乘积;uN·iN。在这种情况下霍耳元件必须作为四象乘法器进行工作,因为uN和iN也就是i和HN都是正弦形的,它们都具有正、负值。
由“纵向霍耳效应器件”一文(“Theverticalhalleffectdevice”R·S·Popovic,IEEEElectronDeviceLetters,Vol,EDL-5,№.9,Sept.84,第357-358页)可知,按权利要求1前序部分所述可集成的纵向霍耳元件已属公知。可集成的纵向霍耳元件是那种可以用来测量磁场HN(这种磁场平行于集成霍耳元件的上表面)的霍耳元件。
从“霍耳效应探针及其在全自动磁性测量系统中的应用”一文(“Halleffectprobesandtheiruseinafullyautomatedmagneticmeasuringsystem”,M·W·Poole和R·P·Walker,IE-EETransationsonMagnetic,Vol,MAG-17,№5,Sept·81,第2132页)中可以明显地看出,有关霍耳元件的稳定性尤其是长期稳定性的叙述很少而且只是从原理上进行了说明。
本发明的任务在于,采用一种能同时生产可集成霍耳元件和可集成晶体管的工艺方法,以获得可集成霍耳元件的长期稳定性。
所述的任务将按本发明权利要求1特征部分的特征来完成。
由从属权利要求的特征所解决的其它任务是:获得可集成霍耳元件的湿度稳定性以及在已知馈电电流i恒定时把特性曲线VH=f(B)线性化。这里VH表示霍耳元件的输出电压,B=μHN表示要测量的磁场HN的感应强度。
本发明的实施例由附图所示,下面将对实施例进行详细描述。
图1埋入式稳定霍耳元件第一种原理方案的平面图,
图2图1所示霍耳元件的垂直剖面图,
图3图1和2所示霍耳元件第一种实际实施方案的平面图,
图4图3和图5所示霍耳元件的垂直剖面图,
图5图1和2所示霍耳元件第2种实际实施方案的水平视图,
图6势垒式场效应晶体管的两种实施方案的平面图,这种晶体管是用与生产图3至5所示霍耳元件相同的方法生产的,
图7图6所示势垒式场效应晶体管的垂直视图,
图8埋入式稳定霍耳元件第二种原理方案的平面图,
图9图8所示霍耳元件的垂直视图,
图10图8和9所示霍耳元件第一种实际实施方案的平面图,
图11图10所示霍耳元件的垂直视图,
图12势垒式场效应晶体管的平面图,这种晶体管是用与生产图10和11所示霍耳元件相同的方法生产的,
图13图12所示势垒式场效应晶体管的垂直视图。
图14图8和9所示霍耳元件第二种实际实施方案的水平视图,
图15图14和16所示霍耳元件的垂直视图,
图16图8和9所示霍耳元件第三种实际实施方案的水平视图,
图17带有5个接头的垂直霍耳元件的连接电路图,
图18具有霍耳元件装置的方框图,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的