[发明专利]“晶体管-晶体管逻辑到互补型金属-氧化物-半导体”的输入缓冲器无效
申请号: | 86103513.5 | 申请日: | 1986-05-24 |
公开(公告)号: | CN1005674B | 公开(公告)日: | 1989-11-01 |
发明(设计)人: | 霍瓦德·克雷顿·基施 | 申请(专利权)人: | 美国电话电报公司 |
主分类号: | H03K17/60 | 分类号: | H03K17/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 陆丽英 |
地址: | 美国纽约州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 逻辑 互补 金属 氧化物 半导体 输入 缓冲器 | ||
1、一种“TTL到CMCS”的输入缓冲器,用来接收一种具有相联的TTL电压电平的第一(“0”)和第二(“1”)逻辑状态之一的输入信号,提供相联的CMOS电压电平的相应输出逻辑信号,它包括:
CMOS第一变换器(30),它对上述TTL输入逻辑信号起作用,产生相反逻辑状态的第一CMOS逻辑信号作为输出信号;
CMOS第二变换器(38),它对上述CMOS第一变换器产生的第一CMOS逻辑信号起作用,提供一个与上述TTL输入逻辑信号的逻辑状态相同的第二CMOS逻辑信号作为输出信号;
其特征在于:
突变检测器(44),它对上述TTL输入逻辑信号和第二CMOS逻辑信号两者起作用,产生一个突变输出控制信号作为输出信号;和
电压提升装置(50),它对上述第二CMOS逻辑信号和上述突变输出控制信号起作用,当上述TTL输入逻辑信号从第一逻辑状态变成第二逻辑状态时,在上述第一CMOS变换器的输入端提供一个增压信号。
2、如权利要求1中所明确的“TTL到CMOS”输入缓冲器,其中突变检测器包括:
第一导通型的第一晶体管(46),它有连接到第一电源的第一电流极,其第二电流极用来提供突变输出控制信号,其栅极用来接收第二CMOS逻辑信号作为输入信号;和
第二导通型的第二晶体管(48),它有连接到第二电源的第一电流极,其第二电流极接到上述第一晶体管的第二电流极,其栅极用来接收TTL输入逻辑信号作为输入信号。
3、如权利要求1或2所明确的一种“TTL到CMOS”输入缓冲器,其中电压提升装置包括:
延迟装置(56),它对突变输出控制信号起作用,产生一个延迟了的突变控制信号作为输出信号;
第一导通型的第一晶体管(52),它有连接到第一电源的第一电流极,其第二电流极和栅极对延迟了的突变控制信号起作用;和
具有第一导通型的第二晶体管(54),它有连接到上述第一晶体管第二电流极的第一电流极,和连接到CMOS第一变换器输入端的第二电流极和对由CMOS第二变换器产生的作为输出信号的第二CMOS逻辑信号起作用的栅极。
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