[发明专利]“晶体管-晶体管逻辑到互补型金属-氧化物-半导体”的输入缓冲器无效

专利信息
申请号: 86103513.5 申请日: 1986-05-24
公开(公告)号: CN1005674B 公开(公告)日: 1989-11-01
发明(设计)人: 霍瓦德·克雷顿·基施 申请(专利权)人: 美国电话电报公司
主分类号: H03K17/60 分类号: H03K17/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 陆丽英
地址: 美国纽约州*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 逻辑 互补 金属 氧化物 半导体 输入 缓冲器
【权利要求书】:

1、一种“TTL到CMCS”的输入缓冲器,用来接收一种具有相联的TTL电压电平的第一(“0”)和第二(“1”)逻辑状态之一的输入信号,提供相联的CMOS电压电平的相应输出逻辑信号,它包括:

CMOS第一变换器(30),它对上述TTL输入逻辑信号起作用,产生相反逻辑状态的第一CMOS逻辑信号作为输出信号;

CMOS第二变换器(38),它对上述CMOS第一变换器产生的第一CMOS逻辑信号起作用,提供一个与上述TTL输入逻辑信号的逻辑状态相同的第二CMOS逻辑信号作为输出信号;

其特征在于:

突变检测器(44),它对上述TTL输入逻辑信号和第二CMOS逻辑信号两者起作用,产生一个突变输出控制信号作为输出信号;和

电压提升装置(50),它对上述第二CMOS逻辑信号和上述突变输出控制信号起作用,当上述TTL输入逻辑信号从第一逻辑状态变成第二逻辑状态时,在上述第一CMOS变换器的输入端提供一个增压信号。

2、如权利要求1中所明确的“TTL到CMOS”输入缓冲器,其中突变检测器包括:

第一导通型的第一晶体管(46),它有连接到第一电源的第一电流极,其第二电流极用来提供突变输出控制信号,其栅极用来接收第二CMOS逻辑信号作为输入信号;和

第二导通型的第二晶体管(48),它有连接到第二电源的第一电流极,其第二电流极接到上述第一晶体管的第二电流极,其栅极用来接收TTL输入逻辑信号作为输入信号。

3、如权利要求1或2所明确的一种“TTL到CMOS”输入缓冲器,其中电压提升装置包括:

延迟装置(56),它对突变输出控制信号起作用,产生一个延迟了的突变控制信号作为输出信号;

第一导通型的第一晶体管(52),它有连接到第一电源的第一电流极,其第二电流极和栅极对延迟了的突变控制信号起作用;和

具有第一导通型的第二晶体管(54),它有连接到上述第一晶体管第二电流极的第一电流极,和连接到CMOS第一变换器输入端的第二电流极和对由CMOS第二变换器产生的作为输出信号的第二CMOS逻辑信号起作用的栅极。

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