[其他]单体的阴离子聚合方法

权利要求书

1、一种单体的阴离子聚合法，包括下列步骤：

(a)在至少50℃温度下，以间歇方式使适于阴离子聚合的单体加料与阴离子聚合引发剂加料接触并反应，

(b)随后以连续或半连续方式使(a)步骤的产物与附加的单体接触并反应，以便继续此阴离子聚合反应，

在此方法中，当(a)步骤中未反应单体与(a)步骤中引发剂加料之摩尔比保持至少为1∶1时，利用在间歇式步骤(a)的产品中加入单体的方法使连续式或半连续式步骤(b)开始。

2、一种如权利要求1所请求保护的方法，其中连续式或半连续式步骤（b）是利用在（a）步骤中未反应单体与（a）步骤引发剂加料之摩尔比保持至少为2∶1时，在间歇式步骤（a）的产物中加入单体的方法使之开始的。

3、一种如权利要求2所请求保护的方法，其中连续式或半连续式步骤（b）是利用在（a）步骤中未反应的单体与（a）步骤引发剂加料之摩尔比保持至少为4∶1时，在间歇式步骤（a）的产物中加入单体的方法使之开始的。

4、一种如权利要求3所请求保护的方法，其中连续式或半连续式步骤（b）是利用在（a）步骤中未反应的单体与（a）步骤引发剂加料之摩尔比保持至少为7∶1时，在间歇式步骤（a）的产物中加入单体的方法使之开始的。

5、一种如权利要求4所请求保护的方法，其中未反应单体与引发剂加料之摩尔比低于100∶1。

6、一种如任何一项前述权利要求所请求保护的方法，其中未反应单体与引发剂加料之摩尔比低于20∶1。

7、一种如任何一项前述权利要求所请求保护的方法，其中连续式或半连续式步骤（b）是在间歇反应中（a）步骤单体加料有95.0～99.9%转化之后，利用在间歇式步骤（a）的产物中加入单体的方法使之开始的。

8、一种如权利要求7所请求保护的方法，其中步骤（a）的单体加料有98～99.9%于间歇反应中转化之后，在间歇步骤（a）的产物中加入单体。

9、一种如权利要求8所请求保护的方法，其中步骤（a）的单体加料有99.0～99.9%于间歇反应中转化之后，在间歇式步骤（a）的产物中加入单体。

10、一种如任何一项前述权利要求所请求保护的方法，其中聚合反应于步骤（b）开始时在至少65℃温度下进行。

11、一种如任何一项前述权利要求所请求保护的方法，其中步骤（b）是一种半连续式步骤。

12、一种如任何一项前述权利要求所请求保护的方法，其中步骤（a）和步骤（b）中的单体是丁二烯、异戊二烯、苯乙烯或其混合物。

13、一种如任何一项前述权利要求所请求保护的方法，其中与步骤（b）中反应的单体与步骤（a）中反应的单体不同。

14、一种如权利要求12或13所请求保护的方法，其中分别使用丁二烯和苯乙烯作为步骤（a）和（b）中所使用的单体。

15、一种如权利要求1所请求保护的方法，与前面实施例所描述的基本相同。

16、用任何一项前述权利要求所请求保护的方法所制备的聚合物。