[其他]超高频中功率负载及其对制造工艺的改进

权利要求书

1、一个超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载，包括一个同轴传输内导体，多个散热片，一个绝热过渡传输线，一个功率输入接头和衰减片，该高频功率输入接头固定在该同轴传输内导体的一端，其另一端延伸进入该内导体中，其特征在于该同轴传输内导体上安置有多个散热片，延伸进入内导体中的该高频功率接头的另一端与位于该内导体中的绝热过渡传输线的一端相接触，其另一端与一卡片式衰减片相接触，该绝热过渡传输线用于绝热并用于阻抗匹配，在该卡片式衰减片上溅射有用于衰减功率的复合电阻材料;上述复合电阻被溅射成分段的多个中间电阻，在中间电阻的两边溅射有用于按设计要求进行阻抗再调整的边缘电阻。

2、根据权利要求1的负载，其特征在于上述卡片式衰减片由氧化铍为基体制成。

3、根据权利要求1的负载，其特征在于经衰减片衰减的小功率信号经过传输电缆经过一个检波电路由表头指示高频功率。

4、根据权利要求1的负载，其特征在于溅射在上述卡片式衰减片上的复合电阻材料为氧化钽铝。

5、一种对卡片式衰减片的加温加压的封装方法，其特征在于先用酒精清洗卡片式衰减片，然后用红外灯或烘箱加温，同时再加直流电压，用低温银浆把该衰减片烧结在同轴传输内导体中。

6、根据权利要求6的封装方法，其特征在于上述红外灯或烘箱的温度范围为80℃～120℃。

7、根据权利要求6的封装方法，其特征在于上述直流电压的范围为30V～60V。