[其他]超高频中功率负载及其对制造工艺的改进

说明书

一种超高频中功率负载采用了特殊设计的卡片式衰减片，使作用新型材料氮化钽铝作为基体。这种卡片式衰减片可以在产品成型后进行阻抗再调节，提高产品的精度和合格率。本产品体积小，衰减功率大，不用风冷，可以用作代天线或用作功率指示。

本发明涉及一种卡片式等效负载，特别涉及一种超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载。

本发明还涉及一种在制造该超高频中功率负载工艺中的经改进的封装方法。

众所周知在先有技术中，等效负载被广泛地应用在广播通讯领域中。一般小功率的等效负载采用吸收式原理制成，也有用棒形电阻制成的中功率等效负载，这类负载所承受的功率都较小，体积大，使用时必须用风扇强制冷却，噪声大，国内产品一般功率都做不大。国外所使用的等效负载，其衰减片一旦镀制上衰减材料后，就无法再进行阻抗的调整，因而对其制作精度及衰减材料的要求很高。这类衰减片都是用精密加工，精密配合，嵌入式的封装方法加以固定。一旦产品定型，就无法进行再调节，对产品的一次合格率要求非常高，从而导致了这类产品的价格很昂贵。

本发明的目的在于提供一种能对卡片式衰减片进行阻抗再调整的超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载。

本发明的另一个目的在于提供一种在制造该超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载工艺中的经改进的封装方法。

本发明的另一个目的在于提供一种带有功率指示、可用作天线假负载的超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载。

根据本发明，一个超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载，包括一个同轴传输内导体，多个散热片、一个绝热过渡传输线，一个功率输入接头和衰减片，本发明的特征在于该同轴传输内导体上安置有多个散热片，一个高频功率输入接头固定在该同轴传输内导体的一端，高频功率输入接头的另一端延伸进入该内导体中，与位于该内导体中的绝热过渡传输线的一端相接触，绝热过渡传输线用于绝热并用于阻抗匹配，其另一端与卡片式衰减片相接触，在该卡片式衰减片上溅射有用于衰减功率的复合阻抗材料。

根据本发明，在制造该超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载工艺中的经改进的封装方法，其特征在于先用酒精清洗该卡片式衰减片，然后用红外灯或烘箱加温，同时再加直流电压。用低温银浆把该卡片式衰减片烧结在同轴传输内导传中。

本发明的优点在于解决了功率在衰减片上所受负荷的不均匀问题。根据本发明制造的超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载，体积小，不用风冷，它可以在下列条件下工作：

1）频率范围：10兆赫～250兆赫（MHZ）

2）输入阻抗：50欧（Ω）

3）额定功率：P≤120瓦（w）

4）电压驻波比：S≤1.22

5）功率示值误差：≤10%（在P-120瓦时）

6）环境要求：当温度为40℃、负载功率为120瓦时，连续工作4小时以上，极间温度≤70℃。

本发明的具体特征、制造工艺以及其它的目的，并从而具有的优点，可以从附图及相应描述的根据本发明的实施例中清楚地体现出来，其中：

图1是根据本发明显示其整体内部结构的截面图;

图2是根据本发明中功率卡片式负载衰减片的结构示意图;

图3是根据本发明的制造超高频（VHF）中功率

（P≤120w）负载的工艺流程图。