[其他]半导体集成电路/系统无效
申请号: | 86106824 | 申请日: | 1986-09-10 |
公开(公告)号: | CN86106824A | 公开(公告)日: | 1987-06-03 |
发明(设计)人: | 肯尼斯·奥斯汀 | 申请(专利权)人: | 皮尔金顿微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/70 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
地址: | 英国英格兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 系统 | ||
1、一种可组态半导体集成电路的成品,包括一个分别在分离位置(10S)上,形成两种具有多个逻辑电路(10)的区域(300),和一个在逻辑电路输入和输出之间的限制信号转换系统(14),它提供在其导通状态时的每个可选择的直接连接通路(14A、B、C、F),这些扩展的通路,对每个所述的逻辑电路(10R)来说,其输出传送到另外的所述逻辑电路的第一组(FS)的输入,而其输入又来自另外的所述逻辑电路的第二组(SS)的输出,所有的组(对于所有的逻辑电路)中的每一个都是独立的。
2、如权利要求1所述的集成电路,其中,分离位置(10S)在区域(300)上分布,且为在位置(10S)之间,跨越区域(300)的直接通路(14A、B、C、F)留有空间。
3、如权利要求1所述的集成电路,其中分离位置(10S)按照表示在该区域内的密度基本均匀的位置的图形,分布在所述的区域(300)上,且在位置(10S)之间跨越着直接连接通路(14A、B、C、F)。
4、如上述的任何权利要求所述的集成电路,其中,对于每个所述的逻辑电路(10R),第一组和第二组(FS和SS)至少包括一个所述的共同的逻辑电路(FS+SS)。
5、如上述的任一权利要求所述的集成电路,其中,对于每个所述的逻辑电路(10R),第一组和第二组中至少包含一个所述的非共同的逻辑电路(仅仅FS或SS)。
6、如上述的任一权利要求所述的集成电路,其中,为了用于多个逻辑电路(10),一些逻辑电路的某些输入(14)和输出(12)具有可选择的,扩展到输入/输出装置(310)的连接通路,对所述的逻辑电路(10R)的至少剩余的每一组,至少包括三个另外的所述的逻辑电路。
7、如权利要求6所述的集成电路,其中,该组(FS或SS)的每一个包括低于所述多个逻辑电路的总数量的5%的逻辑电路。
8、如权利要求6或7所述的集成电路,其中,至少对所述的逻辑电路(10R)剩余的每一个而言,第一组和第二组包括两个所述的共同的逻辑电路(FS+SS)。
9、如权利要求6、7或8所述的集成电路,其中至少对所述的逻辑电路的一些剩余而言,第一组和第二组(FS,SS)的每一个包括非共同的两个门(FS或SS)。
10、如权利要求5或9所述的集成电路,其中,考虑所述的逻辑电路按行和列排列,所述的非共同的逻辑电路(FS或SS)是按照所涉及的逻辑电路的情况,处于相同的行里,在同一行里紧邻着的每一个逻辑电路处于不同的第一和第二组里。
11、如权利要求10所述的集成电路,其中,所述的另外的非共同的逻辑电路包括在同一行里(14F)所述的第三个逻辑电路。
12、如权利要求4所述的集成电路,其中,考虑所述的逻辑电路按行和列排列,每一个所述的共同的逻辑电路(FS+SS)是在同一列所涉及的第三个逻辑电路。
13、如权利要求12所述的集成电路,其中,至少在列中紧邻的一些所述的逻辑电路是在其所述的位置上,对其输出存取的意义而言,是反向地构成(图1、2图7)。
14、如权利要求13所述的集成电路,其中,反向构成的逻辑电路在每一列中交替地排列,而在每一行中全部是相同形式构成的逻辑电路(图1,2,图7)。
15、如上述的任一权利要求所述的集成电路,其中,到逻辑电路的另外的输入连接通路(52R 14D、E),按与所述直接通路类似的方法,每一通路都是可选择的。
16、如上述的任一权利要求所述的集成电路,其中,到逻辑电路的另外的输出连接通路(52G、H),按与所述的直接连接通路(14A、B、C、F)类似的方法,每条通路都是可选择的。
17、如权利要求16所述的集成电路,其中,所述的另外的输出连接通路(52G、H),自首次提及的逻辑电路的输出(12)分路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的