[其他]高清晰阳极化的内层界面

权利要求书

1、一种制造硅半导体结构的方法，包括下列各步骤；

在基片上生成可进行选择的可阳极氧化的材料层；

在上述可进行阳极氧化层上生成一外延层；

阳极氧化处理可阳极氧化层以生成多孔材料；

通过将该结构处在高压和低温氧化处理环境下进行氧化处理上述的多孔材料，使上述的多孔层在杂质扩散进入外延层之前氧化处理。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的氧化处理的温度低于900℃。

3、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的氧化处理温度大约是850℃。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的压力是5到25个大气压。

5、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的压力是10个大气压。

6、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的可阳极氧化层是被用基本上均匀浓度的杂质沉积。

7、一种制造半导体结构的方法，包括下列步骤;

在一N型硅基片上外延生长一层重掺杂N+半导体材料层;

在所述的重掺杂N+层上外延生长一轻掺杂浓度的N-层;

从上述的轻掺杂N-层的表面到上述的基片通过上述外延层开槽;

阳极氧化处理上述的重掺杂N+层，从而生成一多孔的半导体材料层;

在低于900℃的温度大于5个大气压的条件下氧化处理上述的半导体材料的多孔层，从而生成二氧化硅的复合层;

用隔离氧化物填充上述槽。

8、如权利要求7所述的方法，其特征在于上述氧化作用的温度丈大约是850℃。

9、如权利要求7所述的方法，其特征在于上述的压力保持在5到25个大气压之间。

10、如权利要求7所述的方法，其特征进一步包括在阳极化处理之前预先蚀刻有槽的侧壁和底部。

11、如权利要求10所述的方法，其特征在于上述的预蚀刻处理包括在给阳极氧化处理溶液通电前先把基片在阳极化溶液中浸没一段时间。

12、如权利要求7所述的方法，其特征进一步包括在上述的轻掺杂N-层上生成一氮化硅层。

13、一种具有隔离岛区的半导体结构，包括：

在所述内层四周和上面的具有预定掺杂浓度的外延硅岛区;

在上述的二氧化硅隔离内层和上述外延层之间的具有掺杂渡越区厚度小于几百埃的边界区域。

14、如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于上述的边界区域的掺杂浓度是每立方厘米10¹⁶个原子到每立方厘米10¹⁸或10¹⁹个原子。

15、如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于上述的渡越区厚度小于1500埃。

16、如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于上述的渡越区厚度小于500埃。