[其他]垂直倒相器电路

权利要求书

1、一种集成电路电子器件，本发明的特征在于，该器件包括：

一个第一导电类型的衬底；

一个第二导电类型的第一沟道层，沟道层形成在所述衬底的表面；

一个所述第一导电类型的第一漏极层，此漏极层形成在所述第一沟道的层表面；

一个所述第二导电类型的第二漏极层，此漏极层形成在所述第一漏极层的表面；

一个所述第一导电类型的第二沟道层，此沟道层形成在所述第二漏极的层表面；

一个所述第二导电类型的源极层，此源极层形成在所述第二沟道层的表面；

一个导电的栅极，垂直地布置在一个和所述第一和第二沟道层，所述第一和第二漏极层以及所述源极层的平面相垂直的边缘上，并和这些层相邻，其中所述栅极与所述层之间互相绝缘；

一个导电区与所述第一和第二漏极层相连接。

2、根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。

3、根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中一电源电压加在所述源极层上，而在所述衬底上加一参考电压。

4、根据权利要求3所述的器件，其特征在于，其中一个输入信号加在所述栅极上，一个输出信号提供给所述导电区。

5、多个集成电子器件形成在第一导电类型的一块衬底上，本发明的特征在于，每一器件包括：

一个第二导电类型的第一沟道层，该沟道层形成在所述衬底的表面上;

一个所述第一导电类型的第一漏极层，该漏极层形成在所述第一沟道层的表面上;

一个所述第二导电类型的第二漏极层，该漏极层形成在所述第一漏极层的表面上;

一个所述第一导电类型的第二沟道层，形成在所述第二漏极层的表面上;

一个所述第二导电类型的源极层，形成在所述第二沟道层的表面上;

一个导电栅极垂直地布置在一个与所述第一和第二沟道层，所述第一和第二漏极层以及所述源极层的平面垂直的一个边缘上并与这些层相邻，其中，所述栅极和所述层相互绝缘;

一个导电区和所述第一和第二漏极层相连接，其中，所述导电区和经选择的单元中的一个相邻的单元的导电栅极相连接。

6、根据权利要求5所述的多个器件，其特征在于，其中所述第一导电类型是P型，所述第二导电类型是N型。

7、根据权利要求5所述的多个器件，其特征在于，其中所述源极层上加上一个电源电压，所述衬底上加上一个参考电压。

8、根据权利要求7所述的一个器件，其特征在于，其中一个输入信号加在所述栅极上，一个输出信号提供给所述导电区。

9、一种集成电子器件，本发明的特征在于，该器件包括：

一个第一导电类型的单晶硅衬底;

一个第二导电类型的第一单晶硅沟道层，该沟道层形成在所述衬底的表面上;

一个所述第一导电类型的第一单晶硅漏极层，该漏极层形成在所述第一沟道层表面上;

一个所述第二导电类型的第二单晶硅漏极层，该漏极层形成在所述第一漏极层的表面上;

一个所述第一导电类型的第二单晶硅沟道层，形成在所述第二漏极层的表面上;

一个所述第二导电类型的单晶硅源极层，形成在所述第二沟道层的表面上;

一个钨栅极，垂直地布置在一个边缘上，该边缘和所述第一和第二沟道层，所述第一和第二漏极层和所述源极层的平面相垂直并和各该层相邻，其中，所述栅极和所述层相绝缘;

一个钨区和所述第一和第二漏极层相连接。

10、根据权利要求9所述的器件，其特征在于，其中，所述第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。