[其他]高能量γ射线刻度源装置无效
| 申请号： | 86204889 | 申请日： | 1986-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN86204889U | 公开（公告）日： | 1987-06-24 |
| 发明（设计）人： | 叶宗垣;李景文;跃钢;施德棠 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 核工业部专利法律事务所 | 代理人： | 吴景夏 |
| 地址： | 北京二*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高能量 射线 刻度 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种高能量γ射线刻度源装置，由中子源、慢化层、辐射体组成，其特征在于利用放射性中子源，经慢化层慢化为热中子与辐射体引起热中子俘获产生单色特征γ射线，用于刻度γ射线探测器。
2、根据权利要求1所述的高能量γ射线刻度源装置，其特征在于装有反射层和过滤器。
3、根据权利要求1或2所述的高能量γ射线刻度源装置，其特征在于其中的放射性中子源是Am－Be中子源或Pu－Be中子源。
4、根据权利要求1或2所述的高能量γ射线刻度源装置，其特征在于其中的中子慢化材料是石蜡或聚乙烯。
5、根据权利要求1或2所述的高度能γ射线刻度源装置，其特征在于其中的辐射俘获材料是铁、镍或二氯化镁。
6、根据权利要求1或2所述的高能量γ射线刻度源装置，其特征在于其中的反射层是石蜡或聚乙烯，过滤器是铋板。
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