[其他]隔离续流式可控硅励磁装置无效

专利信息
申请号: 86210042 申请日: 1986-12-08
公开(公告)号: CN86210042U 公开(公告)日: 1987-10-07
发明(设计)人: 金津墉 申请(专利权)人: 金津墉
主分类号: H02P1/50 分类号: H02P1/50
代理公司: 南京工学院专利事务所 代理人: 姚建楠,楼高潮
地址: 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 隔离 续流式 可控硅 装置
【权利要求书】:

1、一种用于同步电动机的隔离续流式可控硅励磁装置,由半控桥主回路和励磁电源(8)、同步电源(9)、可控硅触发电路(10)、测量移相电路(11)、投励电路(12)、工作电源等各部分组成,其特征在于半控桥式主回路中位于半控整流桥(7)与电动机(TD)的转子绕组(1)之间接有一只隔离可控硅(5),其控制极接至投励电路(12)。

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