[其他]一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺

权利要求书

1、一种在半导体表面上生成的双极晶体管，其特征在于，它包：

一个在上述半导体的发射极-基极区域部分里生成的第一种导电型的含杂质基极；

一个至少部分地复盖上述含杂质基极而生成的导电的基极接触层，它具有一在其侧壁上面生成的不导电的隔离层盖在发射极-基极区域上；

一个在邻接上述含杂质基极的上述发射极-基极区域里的无杂质基极；

以及一个在上述无杂质基极里生成的第二种导电型的发射极，它具有一个邻近上述含杂质基极并与上述隔离层的一个外缘对准的边缘，以及封闭上述晶体管的隔离装置。

2、按照权利要求1所述的晶体管，其特征在于，它包括一个在上述发射极和基极下面延伸的、第二种导电型的埋置的集电极。

3、按照权利要求2所述的晶体管，其特征在于，上述发射极是通过在邻接上述隔离层的上述发射极区域上面淀积一掺入杂质的发射极接触层，并加热发射极区域以驱使杂质到上述发射极区域而生成的。

4、按照权利要求3所述的晶体管，其特征在于，上述基极是通过在相应的基极区上面淀积一掺以基极杂质的基极接触层，并加热上述基极接触层以驱使其中的基极杂质进入上述基极区而生成的。

5、按照权利要求4所述的晶体管，其特征在于，它包括用以提供与上述埋置的集电极接触的集电极接触区域以及将发射极-基极区域与上述集电极接触区域分开的局部的氧化物隔离。

6、按照权利要求2所述的晶体管，其特征在于，上述隔离装置包括一个向下延伸穿过上述埋置的集电极的沟道。

7、按照权利要求6所述的晶体管，其特征在于，上述沟道封闭上述晶体管。

8、按照权利要求7所述的晶体管，其特征的于，上述沟道涂有一层薄氧化层，然后填有多晶硅。

9、按照权利要求7所述的晶体管，其特征的于，上述沟道具有大致上恒定的宽度。

10、按照权利要求7所述的晶体管，其特征在于，它包括一个在上述沟道下面的沟道截止区域。

11、按照权利要求5所述的晶体管，其特征在于，上述集电极接触区域是通过深度注入第二种导电型的杂质并继而扩散深度注入物而生成的。

12、按照权利要求11所述的晶体管，其特征在于，上述发射是N型的，上述基极是P型的，上述集电极是N型的。

13、按照权利要求4所述的晶体管，其特征在于，上述发射极和基极接触层是多晶硅。

14、一种在具有一发射极-基极区域和一分隔开的集电极接触区的半导体基片表面上制造双极晶体管的方法，其特征在于，它包括：

在上述发射极-基极区域的部分上掺杂第一种导电型的导电层生成含杂质基极;

在上述含杂质基极层的侧壁上生成一侧壁隔离层;

从上述掺杂导电层的含杂质基极扩散含杂质基极的杂质进入上述半导体以生成一含杂质基极区;

注入并扩散无杂质基极杂质到上述发射极-基极区域的其余部分以在那里生成一个与上述含杂质基极邻接的无杂质基极;

在邻接上述隔离层的上述无杂质基极区的一部分上生成一掺有第二种导电型的发射极接触层杂质的发射极;以及

加热上述半导体以在其上述无杂质基极内生成一发射极。

15、按照权利要求14所述的方法，其特征在于，它包括注入并扩散第二种导电型的杂质到上述基片里以形成一集电极，并在上述集电极上面生长一层薄的外延层，其中，上述发射极和基极区域是在上述外延层里形成的。

16、按照权利要求15所述的方法，其特征在于，它包括将一种集电极杂质深深地注入上述外延层里的在上述集电极接触面下方的集电极接触区域并接着把集电极杂质扩散到整个上述集电极接触区域。

17、按照权利要求16所述的方法，其特征在于，它包括生成一个延伸到上述基片并封闭上述晶体管的隔离沟道。

18、按照权利要求17所述的方法，其特征在于，上述含杂质基极接触层是掺以上述第一种杂质的低压化学汽相淀积的非晶硅。