[其他]硫化铅多晶薄膜的激光敏化方法无效
| 申请号： | 87102141 | 申请日： | 1987-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN87102141A | 公开（公告）日： | 1988-10-12 |
| 发明（设计）人： | 孙维国;胡荣武 | 申请（专利权）人： | 航空工业部第014中心 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01G9/20;G01J5/10 |
| 代理公司： | 航天工业部专利事务所 | 代理人： | 马国祥,王淑慈 |
| 地址： | 河南洛阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫化铅 多晶 薄膜 激光 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种关于PbS红外光敏元件敏化工艺方法，包括在玻璃衬底上沉淀一层PbS薄膜，其特征在于，采取激光照射的方法做为敏化手段。
2、根据权利要求1的方法，其特征在于，到达PbS薄膜表面的激光功率密度的范围是100瓦/厘米2～300瓦/厘米2。
3、根据权利要求2的方法，其特征在于，所采用的激光器是二氧化碳气体激光器。
4、根据权利要求1、2、3其中之一的方法，其特征在于，在敏化过程中，通过观察元件的颜色变化来判断敏化情况，确定激光照射的时间。
5、根据权利要求4的方法，其特征在于，当PbS薄膜的颜色呈现蓝灰色时停止激光照射。
6、根据权利要求5的方法，其特征在于，对敏化后的光敏元件进行退火处理可以提高其性能和稳定性。
7、根据权利要求6的方法，其特征在于，退火的温度范围是135°±10℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
