[其他]硫化铅多晶薄膜的激光敏化方法无效
申请号: | 87102141 | 申请日: | 1987-03-21 |
公开(公告)号: | CN87102141A | 公开(公告)日: | 1988-10-12 |
发明(设计)人: | 孙维国;胡荣武 | 申请(专利权)人: | 航空工业部第014中心 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01G9/20;G01J5/10 |
代理公司: | 航天工业部专利事务所 | 代理人: | 马国祥,王淑慈 |
地址: | 河南洛阳*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫化铅 多晶 薄膜 激光 方法 | ||
本发明是关于PbS红外光敏元件制造中敏化工艺的发明,敏化是制造PbS探测器关键的一环,敏化效果如何直接影响探测率大小。
据我们所知国内外,以往对PbS薄膜的敏化采用化学敏化法、炉中高温处理法,高温法做的器件与化学敏化法比较,稳定性好,响应时间常数小,但高温处理敏化条件较难掌握,重复性差,成品率不高,所用时间较长,即升温至550℃左右(需要一小时左右)然后恒温一小时再自然冷却至室温取出,每次敏化放片不多,且在敏化过程中敏化情况不能直接观察。
本发明的目的是提供一种PbS光敏元件制造中敏化新方法。
本发明采用激光器代替敏化炉,把化学沉淀在玻璃衬底上的薄膜用激光扩束照射(扫描)待敏元件而到达敏化效果。在大气环境中待敏元件吸收了激光后,由于光化学和热效应作用使表面生成对红外辐射敏感物质,从而达到敏化效果。敏化效果与功率密度有关。功率密度太大,薄膜表面挥发,功率密度太小,达不到敏化效果。其最佳功率密度范围是100瓦/厘米2~300瓦/厘米2。激光器的波长对薄膜的吸收是有影响的,因CO2气体激光器转换效率高,价格较低,所以采用CO2气体激光器较好。在敏化过程中通过观察元件的颜色变化来判断敏化情况,确定激光照射的时间。在照射过程中从本色灰白变黑然后暗红→褐色→深兰→浅兰→兰灰→灰色。初步判断时可选择浅兰→灰色之间为较好敏化效果范围。对敏化后的光敏元件进行退火处理可以提高其性能和稳定性,退火的温度范围在135±10℃时更有利于提高其性能和稳定性。
本发明的优点是成品率比高温炉处理方法高,敏化条件调节迅速,敏化速度快,1分钟左右即可敏化一化。在我们的试验中用激光法比用高温炉中处理成品率高一倍以上。本发明的方法也可适用于PbSe敏化。
本发明与高温炉处理方法相比制成的光敏元件各参数性能基本相同,优于高温法,且成本低,稳定性好。用此方法做的红外探测器可在致冷情况下或室温工作,可用于军事跟踪,探测,特别在导弹上使用,也可以用于火焰探测,测温,测湿。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的