[其他]半导体器件

权利要求书

1、一种半导体器件包括一个电荷耦合器件和包括一个输入级以及一列时钟电极，该电荷耦合器件配置在半导体本体的表面上，该输入级根据输入信号形成电荷包，该时钟电极备有施加时钟电压用的连接装置，而时钟电压是为了在下伏的电荷输运沟道中顺序存储和输运这些电荷包;从电荷输运的方向看去，输入级顺序包括有一个输入二极管、一个第一电极（下文称为取样栅极）和一个第二电极（下文称为输入栅极），而输入二极管备有施加固定电压的连接线，输入栅极备有施加输入信号的装置，取样栅极备有施加取样时钟电压的装置，取样时钟电压用以接通和阻断输入二极管和输入栅极下面区域间的连接，本半导体器件的特征是，所说连接装置包括一个放大器，放大器的输出端连到在输入栅极后的第一时钟电极，而且装配在该列时钟电极中的时钟电压可以加到放大器的输入端，因此，在加上这个时钟电压时，就可在第一时钟电极下面感生出一个势阱来，其深度足以使在输入栅极下面形成的整个电荷包流入这个势阱。

2、如权利要求1中所要求的一种半导体器件，其特征在于各个时钟电极都包括一个转移部分和存储部分，在加上时钟电压时，就会在转移部分下面感生出一个势垒并在存储部分下面感生出一个势阱来。

3、如权利要求2中所要求的一种半导体器件，其特征在于该器件构成一个两相电荷耦合器件。

4、如任何一项前述权利要求中所要求的一种半导体器件，其特征在于该器件是一种表面沟道型的电荷耦合器件。

5、如任何一项前述权利要求中所要求的一种半导体器件，其特征在于所说放大器包括一个自举激励电路。