[其他]磁膜以及使用这种磁膜的磁头无效

专利信息
申请号: 87103907 申请日: 1987-05-30
公开(公告)号: CN1006107B 公开(公告)日: 1989-12-13
发明(设计)人: 小林;俊雄;大友茂一;中谷亮一;熊坂登行 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 李勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 以及 使用 这种 磁头
【说明书】:

一种磁膜和使用这种磁膜(5,9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的,这些元素选自可填隙地溶于铁的元素:硼、氮、碳和磷,元素的含量是5~20%原子比。

发明涉及一种磁膜及应用同样磁膜的磁头,更具体地说,是涉及用于磁头磁极的磁膜以及使用这种磁膜的磁头,这种磁头特别适合于高密度磁记录场合。

作为用于高密度磁记录的磁头磁极的材料,已经研制出一种其主要成分为铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)并且其饱和磁通量密度不小于10千高斯(KG)的合金,及另一种具有饱和磁通量密度不小于18千高斯的铁-硅(Fe-Si)合金(JP-A-59-182938)。如果需要高密度的磁记录,则要求磁头磁极的端部具有不大于0.5微米的厚度,这将需要磁极具有徒削分布的磁场。由于在端部上的磁通量密度变得很高,因此需要磁膜具有高饱和磁通量密度、高磁导率以及低矫顽磁力。此外,由于端部上膜的厚度变薄,因此会出现磁饱和。因此,当膜厚度不大于0.5微米时,则需要不小于15千高斯的高饱和磁通量密度、不小于1000的高相对磁导率及不大于1奥斯特(Oe)的低矫顽磁力。

一种磁膜已经通过射频(RF)溅射方法或诸如此类的方法形成。以铁作为其主要成分的磁膜的磁特性呈现高的饱和磁通量密度,其值不小于15千高斯。然而,其相对磁导率呈现不大于700的较低值。因此,构成同时具有高饱和磁通量及高相对磁导率的磁膜一直是困难的。

最近,具有高饱和磁通量密度及高相对磁导率的一种磁膜已经研制出来,它是一种多层磁膜,磁膜叠压在各中间层之间(JP-A-59-9905)。多层磁膜的磁特性取决于位于主磁膜间的各中间层所用材料。通常,最好使用具有高磁导率的磁性材料。

按照现有技术,通过射频溅射方法或诸如此类方法生成用于磁头磁极的磁膜。这种磁膜具有相当高的饱和磁通量密度,但其相对磁导率是低的。因此,这种磁膜不能用作进行高密度磁记录的磁头的磁膜。

本发明的目的在于消除上述现有技术中存在的问题,并且提供一种具有高饱和磁通量密度及高相对磁导率的磁膜。

本发明的进一步目的在于提供一种适用于垂直或纵向磁记录磁头磁极上的磁膜,这种记录磁头对于具有高矫顽磁力、高密度磁记录的媒介呈现优越的记录和复制特性;同时提供具有这种磁膜的磁头。

本发明的主要特征在于将一种可填隙地溶于铁中的元素加入磁膜中,这种磁膜是以铁为主要成分并具有高饱和磁通量密度。通过加入这种元素,仅部分晶体制成不定形状态,使得磁晶各向异性能量下降,导致矫顽磁力下降、相对导磁率增加,因此获得不小于15千高斯的饱和磁通量密度以及不小于1000的相对磁导率。

最好使用选自硼(B),氮(N),碳(C),磷(P)的一种或多种可填隙地溶于铁中的元素作为加入本发明的磁膜中的元素。由这类磁膜叠压于高导磁率的镍-铁合金层或非晶磁性合金层中而构成的一种多层磁膜使得相对导磁率明显提高。

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