[其他]反向工作的晶体管偶合逻辑

权利要求书

1、反向工作的晶体管偶合逻辑，其特征在于：

(1)采用多晶硅肖特基二极管输入；

(2)采用多晶硅二极管PSD输入；

(3)采用多晶硅电阻作为负载；

(4)采用漏栅共接的多晶硅MOS或栅接地的多晶硅MOS作类似于CMOS的互补负载。

2、反向工作的晶体管偶合逻辑的制作工艺，其特征在于：

（1）采用分立等平面收集极自对准和基极洞自对准工艺;

（2）采用侧壁难熔金属或难熔硅化合物基极和发射极自对准工艺;

（3）采用等平面、V形槽、垂直槽（或电泳玻璃粉填槽）或空气隔离工艺;

（4）采用反向共发射极背面接地结构;

（5）采用外延隐埋层上扩基区;

（6）采用NS或PS肖特基收集极;

（7）用多晶硅引线连接各分立晶体管;

（8）用铝一次布线连接各分立晶体管;

（9）用难熔金属或难熔金属硅化物完成倒置一次布线。