[其他]铟锡氧化物透明导电膜生产工艺

权利要求书

1、一种铟锡氧化物透明导电膜的生产工艺，其特征在于：各工艺技术参数采用如下的组合方式：

铟∶锡=10∶1            (重量比)

基片加热温度            150～200℃

湿氧流量                80～160mL/分

反应蒸发氧压 1×10^-2～3×10^-2托

蒸发钼舟尺寸(加热部份)  (5～10)mm×(8～12)mm

钼舟加热温度            880～920℃

沉积速度                300～600埃/分

蒸发时间                2～5分

沉积周期                20～25分

基片与蒸发源垂直距离    100～120mm

基片旋转速度            25转/分

蒸发料总量              0.2～0.3克

2、根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于：反应蒸发过程采用如图1所示的控制曲线进行，恒定湿氧流量，调节氧压在1×10^-2～3×10^-2托之间，根据氧压变化调节钼舟加热电流，使氧压始终稳定在1.2×10^-2～1.6×10^-2托。

3、根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于：在基片5与钼舟7的垂直距离为100～120mm的条件下，钼舟7的中心点与镀膜机中心轴的距离为115～130mm。

4、根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于：在距镀膜机中心轴r＝115～130mm的环形位置上，同时设置多个钼舟，钼舟之间采用并联方式连接。

5、根据权利要求4所述的生产工艺，其特征在于：所有钼舟使用的加热电流由同一个电源供给。