[发明专利]钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺无效
申请号: | 88101014.6 | 申请日: | 1988-03-12 |
公开(公告)号: | CN1009284B | 公开(公告)日: | 1990-08-22 |
发明(设计)人: | 臧竟存 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/04 |
代理公司: | 北京工业大学专利代理事务所 | 代理人: | 楼艮基,张慧 |
地址: | 北京市东*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钨酸锌 单晶体 掺锗去色 工艺 | ||
【权利要求书】:
1、一种钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺,其工艺条件为:下籽晶温度1210~1230℃,提拉速度为1~3mm/h,旋转速度为20~30转/分,它们随掺杂量减少而递增,生长结束后降温速率在150~200℃/h之间,其特征在于配比,它以GeO2为掺杂材料,ZnO∶WO3∶GeO2之重量比为100∶1-X∶X,X在0.05~0.1之间。
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