[发明专利]一种埋栅型电感应晶体管(SIT)的制造方法

权利要求书

一种埋栅型静电感应晶体管(SIT)的制造方法，主要工艺过程和一般晶体管制造方法相同，工艺过程为：硅片氧化→光刻栅区→栅区扩散→二次氧化→光刻源区→源区扩散→三次氧化→光刻引线孔→蒸铝→光刻铝→合金→中测→划片→烧结→压焊→封帽→老化等，其特征在于：

a.光刻源区时，将大面积的源区按版图3套刻在栅区2和源条1上，源区的版图3盖住除掉栅墙17以外的栅区2和源条1上，然后在上述光刻成的大面积的源区3内进行源扩散，形成半埋栅结构；

b.在栅墙17上直接光刻栅接触孔5，经蒸铝后形成金属化区7。