[发明专利]一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺无效
| 申请号： | 88105238.8 | 申请日： | 1988-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1011932B | 公开（公告）日： | 1991-03-06 |
| 发明（设计）人： | 林玉松;李萍 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 崔日新,李荣升 |
| 地址： | 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 npn 台面 高反压管 生产 中的 工艺 | ||
1、一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺，将抛光、氧化后的硅片置于扩散里进行开管扩镓，本发明的特征是，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成P型基区，在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓，镓杂质源由潮湿氢气体携带。
2、根据权利要求1所说的一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺，其特征在于，所说的低浓度掺杂时，硅片温度为1200～1240℃，镓源温度920～930℃，H2流量80ml/分，H2浸入水的深度2cm处，水温20℃，镓源量为1克，通源时间60～90分钟。
3、根据权利要求1所说的一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺，其特征在于，所说的高浓度掺杂时，硅片温度为1240℃，镓源温度1050～1060℃，H2流量80ml/分，H2浸入水的深度5mm处，水温20℃，镓源利用低镓掺杂时的剩源，通源时间60～90分钟。
4、根据权利要求1所说的一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺，其特征在于，所说的补镓时，DD03、3DD15系列片温为1180～1200℃，通源时间30～40分钟;3DD202系列片温为1170～1180℃，通源时间30分钟左右;三个系列的源温980～1000℃，H2流量80ml/分，水温20℃，H2浸入水的深度5mm处，镓源量1克。
5、根据权利要求1所说的一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺，其特征在于，所说的结深推移时，硅片温度为1240℃，N2流量70ml/分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
