[发明专利]铌三锡高场导体的制备方法无效
| 申请号： | 88105619.7 | 申请日： | 1988-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1013905B | 公开（公告）日： | 1991-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何牧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铌三锡高场 导体 制备 方法 | ||
1、一种铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进，属于超导导体的加工工艺，它包括铜管、富锡合金及铌管或打孔铌锭的冷拉、酸洗、复合以及复合棒的冷拉，拧扭和扩散热处理工艺，本发明的特征是将Ti作为第三元素以(0.4-1.5)wt%加入到作为原料的Nb管，紫铜管、单芯挤压管的内铜套或Nb锭中，而将第四元素Mg以(0.4-1.2)wt%加入到富锡合金中，或者将第三元素Ti以(0.5-1.5)wt%加入到富锡合金中，而将第四元素Mg以(0.2-3)wt%加入到紫铜管中。
2、按权利要求1所述的制备Nb3Sn高场导体的方法，其特征是所说的Ti以先制成Nb-（0.5-1.5）wt%Ti合金管的形式代替Nb管，而所说的Mg以先制成Sn-（0-5）wt%Cu-（0.4-1.2）wt%Mg的合金形式加入到富锡合金中的。
3、按权利要求1所述的制备Nb3Sn高场导体的方法，其特征是所说的Ti以先制成Cu-（0.4-1.5）wt%Ti合金管的形式代替紫铜管，而所说的镁以制成Sn-（0-5）wt%Cu-（0.4-1.2）wt%Mg的合金形式加入到富锡合金中的。
4、按权利要求1所述的制备Nb3Sn高场导体的方法，其特征是所说的Ti以先制成Sn-（0-5）wt%Cu-（0.5-1.5）wt%Ti的合金形式代替富锡合金，而所说的Mg则以制成Cu-（0.2-3）wt%Mg合金管的形式代替紫铜管。
5、按权利要求1所述的制备Nb3Sn高场导体的方法，其特征是所说的Ti是以制成Cu/Nb/Cu-（0.4-1.5）wt%Ti挤压管形式加入的，而所说的Mg则是以制成Sn-（0-5）wt%Cu-（0.4-1.2）wt%Mg合金的形式代替富锡合金的。
6、按权利要求1所述的制备Nb3Sn高场导体的方法，其特征是所说的Ti以制成Cu/Nb-（0.5-1.5）wt%Ti/Cu挤压管形式加入的，而所说的Mg则是以制成Su-（0-5）wt%Cu-（0.4-1.2）wt%Mg合金的形式代替富锡合金的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海冶金研究所，未经中国科学院上海冶金研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/88105619.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
