[发明专利]磁记录介质

权利要求书

1、一种利用离子束在磁记录介质上形成保护层的方法，所述保护层包括磁盘基片上的基底保护层和磁性层上的表面保护层，所述的各保护层是用离子化的金属和离子化的非金属形成在所述基片和/或所述磁性层上的，其特征在于，产生所述离子化金属的离子束发生源、产生所述离子化非金属离子束的气体离子束发生源和所述磁记录介质都被装于一真空室中；

将所述离子束发生源产生的金属离子束和由所述气体离子束发生源产生的非金属离子束射向所述磁性层或所述基片，形成化合物保护层，其中，对气体离子和金属离子分别授与最合适的能量，从而形成高性能的保护层。

2、根据权利要求1的方法，其特征在于，所述气体离子源选自电子束激励型发生源、微波气体离子源和电子回旋共振气体离子源组。

3、根据权利要求1的方法，其特征在于，所述离子源至少是一个。

4、一种磁记录介质，包括一磁盘基片、一磁盘上的基底保护层，一设置在磁盘基底保护层上的磁性层和一复盖在磁性层上的表面保护层，其特征在于，所述的各保护层中，至少所述表面保护层是用权利要求1或2或3的方法形成的保护层。

5、根据权利要求4的磁记录介质，其特征在于，所说的各保护层可从氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、炭化钛、炭精和金刚石中选择至少一种物质或两种物质以上的混合物质来构成。