[发明专利]磁记录介质

说明书

本发明涉及一种磁记录介质，特别是改良保护层的介质。

先有的以γ-Fe₂O₃为代表的有机粘合法（例如特公昭44-14090号公报、特公昭45-18372号公报等）在磁盘基片上涂布的介质，已无法适应近年来高密度记录的需要，因而，作为磁性材料，已对使用强磁性金属或其合金的电镀法（例如特公昭57-6177号公报，特公昭57-51173号公报等）或真空镀膜法（例如特公昭57-17292号公报）等进行过研讨。但是，由于这些强磁性材料的耐湿性一般都很低，因此为了保护该磁性层，就必须在它的上面敷设一保护层。

图4是先有的如特公昭56-43532号公报等所发表的磁记录介质的构成模式图，图中，（1）是由铝合金等构成的磁盘基片，（2）是在此磁盘基片（1）上，用真空镀膜法形成的由强磁性材料构成的磁性层，（3）是用了电镀法敷盖在此磁性层（2）表面的表面保护层。

按上述结构构成的磁记录介质，使用于例如作为电子计算机的外部存储设备的硬盘装置中，以图中未标出的驱动器装置的主轴电机使盘转动，由磁头来进行信息的录、放或抹除。

按上述结构构成的先有的磁性记录介质，表面保护层（3）的表面平坦度不够好，此外，由于其摩擦系数很大，在录/放的启动和停止时，由于盘与磁头接触产生的机械摩擦，将使磁头损坏，或者使表面保护层剥离而使磁性层受到损伤。

本发明就是为了解除上述问题而研究的、其目的在于得到一种能耐受与磁头接触而反复进行录/放操作的磁记录介质。

本发明的磁记录介质，用离子束镀膜法形成保护磁性层的表面保护层。

本发明的磁记录介质，由于其表面保护层的硬度很高且非常平整，因此可以耐受长期的反复录/放操作。

以下，就本发明的一个实施例，参照附图加以说明。图1中，（4）是在磁盘基片（1）的表面用电镀形成的镍、磷（Ni-P）基底保护层，（2）是采用电镀法镀上钴-磷（CO-P）等材料，或者采用溅射法镀上钴、镍等而形成的由强磁性材料构成的磁性层，（30）是在该磁性层（2）的表面，采用离子束镀膜装置而形成的表面保护层。该表面保护层（30）的材质，并无特别限制，作为理想的可使用的材质，例如有铝、硅、钛的氧化物、氮化物和炭化物，以及金刚石、炭精等，可以单独采用这些材质中的任意一种，也可以采用任意两种以上的材料构成混合薄膜层。

对上述基底保护层（4）和磁性层（2）的种类、形成方法等并无特别限制，众所周知的材料、形成方法，都可不受特别限制而加以使用。

下面，就上述表面保护层（30）的形成方法，用附图加以详细说明。图2是为形成上述表面保护层（30）而采用的离子束镀膜装置的概要构成图。图中，（5）是离子束发生源，它包括蒸气发生源（51），离子化装置（52）和离子束加速电极（53）等。上述蒸气发生源（51）包括坩埚（51a），盛入该坩埚（51a）中的镀膜物质（51b）等。（6）是气体离子束发生源，它包括下述部分：气体喷射喷咀（61），它喷射例如氮气或含有氮元素的气体等反应气体;离子化装置（62），它将喷射喷咀（61）所喷出的反应气体激励、解离和离子化;离子束加速电极（63），它把由上述离子化装置所生成的气体离子，向磁盘基片（1）的方向进行加速;内部层（64），它使气体离子源（6）的内部比它的周围空间保持更高的气体压力。此外，上述离子化装置（62），还包括有电子束引出电极（62a）和电子束发射灯丝（62b）。

并且，上述离子束发生源（5），气体离子束发生源（6）以及磁盘基片（1），均被装在在图中未示出的真空室内，以保持所必须的真空度。此外，箭头A指出了离子束的流向，箭头B指出了气体离子束的流向。

下面，以上述那样构成的离子束镀膜装置说明形成氮化钛薄膜表面保护层的过程。