[发明专利]磁光记录体无效
申请号: | 88107242.7 | 申请日: | 1988-10-17 |
公开(公告)号: | CN1019241B | 公开(公告)日: | 1992-11-25 |
发明(设计)人: | 水木邦彦;春田浩一;尾浦博一;五十岚康一;桥木英彦 | 申请(专利权)人: | 三井石油化学工业株式会社 |
主分类号: | G11B11/10 | 分类号: | G11B11/10;G11B7/24 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 王孙佳,张绮霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 | ||
1、一种包括基片、磁光记录膜(Ⅰ)和反射膜(Ⅱ),所说的膜按此顺序被层压在所说的基片上的磁光记录体,其特征在于:
所说的磁光记录膜(Ⅰ)为厚度100-600的无定形合金的薄膜,它含有(i)至少一种含量为20-90%(原子)的3d过渡金属,(ii)5~30%(原子)的至少一种耐腐蚀金属和(iii)至少一种含量为5-50%(原子)的稀土元素,并具有垂直于所说膜的平顺磁化轴;
所说的反射膜(Ⅱ)厚度为100-4000,由过渡金属或过渡金属合金组成,且其热导率不高于2J/cm.sec.k。
2、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是磁光记录膜(Ⅰ)中所含的3d过渡金属(ⅰ)为Fe或Co,或者两者都有。
3、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是磁光记录膜(Ⅰ)中所含的耐腐蚀金属为Pt或Pd,或两者都有。
4、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是磁光记录膜(Ⅰ)中所含的烯土元素(ⅲ)是从Nb、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中选取的。
5、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是所说的磁光记录膜(Ⅰ)含有40~80%(原子)的3d过渡金属和10~30%(原子)的耐腐蚀金属(ⅱ)。
6、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是所说的反射膜(Ⅱ)具有不大于2J/cm.sec.k的热导率和至少为50%的反射率。
7、根据权利要求6所述的磁光记录体,其特征是所说的反射膜(Ⅱ)具有不大于1J/cm.sec.k的热导率和至少为70%的反射率。
8、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是所说的反射膜(Ⅱ)含有镍合金。
9、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是反射膜(Ⅱ)含有镍-铬合金。
10、根据权利要求9所述的磁光记录体,其特征是所说的镍铬合金含有70~95%(原子)的Ni和5~30%(原子)的铬。
11、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是所说的基片含有乙烯和以下所述通式(Ⅰ)或(Ⅱ)的至少一种环烯的无规共聚物,该共聚物在135℃的萘烷中被测定时具有0.05-10dl/g的特性粘度〔η〕,并具有至少为70℃的软化温度,
式中n和m各自为0或正整数,1是至少为3的整数,R1至R12各自表示为氢或卤原子或烃基。
12、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是它还在基片和磁光记录膜(Ⅰ)之间和/或在磁光记录膜(Ⅰ)和反射膜(Ⅱ)之间含有增强膜。
13、根据权利要求12所述的磁光记录体,其特征是所说的增强膜含有Si3N4或SiNx(o<x<4/3)。
14、根据权利要求12所述的磁光记录体,其特征是,所说的增强膜含有ZnS、ZnSe、Cds、Si3N4SiNx(其中o<x<4/3)Si3N4、Si或AlN。
15、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是,所说的反射膜(Ⅱ)有由一选自Pt、Pd、Ti、Co、Zr及它们的合金的成份组成。
16、根据权利要求1所述的磁光记录体,其特征是,所说的反射膜(Ⅱ)由Ni合金组成。
17、根据权利要求16所述的磁光记录体,其特征是,所说的Ni合金含30-90%(原子)量的镍。
18、根据权利要求16所述的磁光记录体,其特征是,所说的镍合金选自由Ni-Cr合金、Ni-Si合金、Ni-Cu合金、Ni-Mo-Fe合金、Ni-Mo-Fe-Cr合金、Ni-Mo-Fe-Cr-Cu合金、Ni-Cr-Cu-Mo合金及Ni-Cr-Fe合金组成的组中的一种。
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