[发明专利]磁光记录体

说明书

本发明涉及一种具有优良的耐氧化性能和优良的磁光记录性能的磁光记录体。更具体地说，本发明涉及一种包括基片、磁光记录膜和反射膜的磁光记录体，所说的膜以上述次序层叠在所说的基片上，有一个垂直于膜的平顺磁化轴，并具有优良的耐氧化性及优良的磁光记录性能。

业已知道，磁光记录膜包含至少一种过渡金属（如铁、钴等），和至少一种稀土元素〔如铽（Tb）、钆（Gd）等〕，这种膜具有一个垂直于膜的平顺磁化轴，并能形成一个小的逆磁畴，后者的磁力线与膜的磁力线逆平行。使这种逆磁畴的存在或不存在对应于“1”或“0”，则可以如上所述地记录这种磁光记录膜上的数字信号。

正如磁光记录膜包括如上所述的这类过渡金属和稀土元素，例如在公布号为20691/1982的日本专利中揭示了含有15-30%Tb（原子百分数）的Tb-Fe系列的磁光记录膜。也有所用的Tb-Fe系列的磁光记录膜中加入了第三种金属组分。而且，Tb-Co系列和Tb-Fe-Co系列等的磁光记录膜也已为人们所知。

虽然这些磁光记录膜具有优良的记录重现性能，但从实际观点来看，它们仍涉及这样一个严重问题，以致在一般使用过程中会发生氧化，它们的性能也随着时间的推移而发生变化。

含有如上所述的这类过渡金属和稀土元素的磁光记录膜的氧化劣化机理，举例来说已在“Journal    of    the    Society    of    Applied    Magnetism    of    Japan，Vol.9，No.2，pp.93-96”文献中进行了讨论，据该论文报道，氧化劣化的机理可分成下列三类：

a）点坑腐蚀

所谓点坑腐蚀是指在磁光记录膜上出现针（小）孔。这种腐蚀主要发生在高湿度环境下，并在诸如Tb-Fe、Tb-Co等这类系列的记录膜中明显地进行。

b）表面氧化

表面氧化层在磁光记录膜上形成，由此，膜的Kerr旋转角θ随着时间变化，最终减小。

c）稀土元素的选择性氧化

磁光记录膜中存在的稀土元素发生选择性氧化，由此，膜的矫顽（磁）力Hc随着时间发生大的变化。

迄今为止，人们已进行了种种努力，试图抑制如上所述的磁光记录膜的氧化劣化。例如，有人推荐这样一种方法，该法是将磁光记录膜设计成具有三层结构，其中膜被夹在诸如Si₃N₄、SiO、SiO₂、AlN等这类抗氧化保护层中。然而，以上提出的抗氧化保护层涉及到这样的问题，亦即它们是比较昂贵的，同时需要化费相当的时间和劳力才能使之在磁光记录膜上形成，而且，即使在所说的记录膜上形成这种抗氧化保护层，也往往不能得到预期的对记录膜的氧化劣化具有足够的抑制能力。

另外，人们作了种种努力，试图通过在记膜中加入第三种金属组分来改善磁光记录膜的耐氧化性。

例如，上述引用的“Journal    of    the    Society    of    Applied    Magnetism    of    Japan，”一文中揭示了通过在膜中加入直至3.5%（原子百分数）的Co、Ni、Pt、Al、Cr、Ti和Pb这类第三种金属组分来改善Tb-Fe或Tb-Co-系列的磁光记录膜的抗氧化性能的尝试。与这一尝试相关，所述的杂志报道了将少量的Co、Ni和Pt加到Tb-Fe或Tb-Co中，对于抑制所产生的磁光记录膜的表面氧化和点坑腐蚀是有效的，但对于磁光记录膜中所含的作为稀土元素的Tb的选择性氧化没有抑制作用。这一揭示意味着，即使将少量的Co、Ni和Pt加到Tb-Fe或Tb-Co中，存在于所产生的磁光记录膜中的Tb仍选择性地氧化，而且膜的矫顽磁力Hc大大变化。因此，即使直至3.5%（原子百分数）的少量的Co、Ni和Pt加到Tb-Fe或Tb-Co中，所产生的磁光记录膜的抗氧化性仍没有得到足够的改善。